英诺赛科拟募资14.34亿元扩大GaN产能

（来源：SEMI）

大半导体产业网消息，日前，英诺赛科发布公告称，将按每股75.58港元的价格配售2070万股新H股，预计募集资金约15.65亿港元（约合人民币14.34亿元），净发行价约为每股74.90港元。

同时，英诺赛科还披露了关于此次配售所得款项的用途：

· 约31%的资金（4.82亿港元，约合人民币4.42亿元）用于产能扩充及产品持续迭代升级。英诺赛科计划未来三年将持续扩充产能，以满足氮化镓功率器件市场指数级增长需求，并对产线进行改造，以生产应用于车规、工业、数据中心领域的更高等级产品。

·  约24%的资金（3.76亿港元，约合人民币3.44亿元）用于偿还有息负债。截至2025年8月末，英诺赛科有息负债25.76亿港元，资产负债率接近50%。因此他们拟将配售募集资金中约3.76亿港元用于偿还部分有息负债，优化资本结构，减轻财务负担，降低财务风险。

· 约45%的资金（6.91亿港元，约合人民币6.33亿元）用作营运资金及一般公司用途，包括人力资源开支、向供应商及服务提供商支付款项、潜在境内外投资。