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晶芯成科技、晶合集成申请去镍铂合金法相关专利,常温除未反应镍铂合金,提工艺及产品良率

2026-05-08 09:26

5月8日消息,国家知识产权局信息显示,晶芯成(北京)科技有限公司、合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法”的专利。申请公布号为CN121985755A,申请号为CN202610458132.1,申请公布日期为2026年5月5日,申请日期为2026年4月9日,发明人曹平、刘苏涛,专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限公司,专利代理师杨威,分类号H10P70/00。

专利摘要显示,本发明涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法,包括以下步骤:a)提供表面具有金属层的晶圆;所述金属层包括镍铂合金;b)在所述金属层表面形成多孔二氧化钛层;c)采用光催化反应在常温下去除金属层;d)采用过氧化氢络合反应去除多孔二氧化钛层;e)对晶圆表面依次进行除杂、水洗和干燥,得到自对准硅化物。与现有技术相比,本发明提供的去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法,采用特定工艺步骤及条件,实现整体较好相互作用,能够在常温下去除自对准硅化物中未反应镍铂合金,避免高温湿法制程对镍硅化合物热稳定的影响,且不损失镍硅化物,从而提高自对准硅化物工艺稳定,进而提高产品良率。

天眼查数据显示,晶芯成(北京)科技有限公司成立日期2020年9月7日,法定代表人朱才伟,所属行业为科技推广和应用服务业,企业规模为微型,注册资本20万人民币,实缴资本20万人民币,注册地址为北京市北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54。晶芯成(北京)科技有限公司共对外投资了0家企业,参与招投标项目0次,财产线索方面有商标信息0条,专利信息228条,拥有行政许可1个。

晶芯成(北京)科技有限公司近期专利情况如下:

序号 专利名称 专利类型 法律状态 申请号 申请日期 公开(公告)号 公开(公告)日期 发明人
1 一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法 发明专利 公布 CN202610458132.1 2026-04-09 CN121985755A 2026-05-05 曹平、刘苏涛
2 半导体结构的制造方法及半导体器件 发明专利 公布 CN202610339571.0 2026-03-19 CN121908612A 2026-04-21 运广涛、赫文振、阮钢、苏圣哲
3 静态存储器的最小工作电压的调整方法 发明专利 公布 CN202610331131.0 2026-03-18 CN121905249A 2026-04-21 田志锋
4 芯片失效类型的测试方法及测试电路 发明专利 授权 CN202511673091.X 2025-11-14 CN121114737B 2026-01-30 郝永豪、储浩、张翼、孔祥炜、钟敏
5 掩膜图案的处理方法、掩膜图案的处理系统和掩膜 发明专利 授权 CN202511632778.9 2025-11-10 CN121091594B 2026-03-06 殷诗淇、罗招龙、王康
6 半导体器件及其制造方法 发明专利 授权 CN202511569345.3 2025-10-30 CN121038589B 2026-01-30 宋富冉、周儒领
7 一种防止半导体器件被电化学腐蚀的方法及半导体器件 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511144106.3 2025-08-15 CN120914086A 2025-11-07 郝小强、陶磊、周宇芬、李霄
8 刻蚀腔室及倒角刻蚀方法 发明专利 授权 CN202511082627.0 2025-08-04 CN120581422B 2025-11-21 李文超、刘然、林政纬、罗成、俞洁
9 光罩、光罩图案的生成方法、半导体结构及其制备方法 发明专利 授权、公布 CN202511055027.5 2025-07-30 CN120559940B 2025-10-31 赵广、罗招龙、岳浩
10 半导体结构的制造方法、半导体结构及半导体器件 发明专利 授权、公布 CN202511048213.6 2025-07-29 CN120565500B 2025-10-31 耿佳、邓元吉、卢俊玮
11 半导体器件的制备方法及半导体器件 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510999614.3 2025-07-21 CN120857544A 2025-10-28 周成
12 用于半导体器件的测试结构和测试方法 发明专利 授权、公布 CN202510934594.1 2025-07-08 CN120468616B 2025-10-17 李宁、冯玲、陈依柏、闻磊、段丹阳
13 一种LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件 发明专利 授权、公布 CN202510931927.5 2025-07-07 CN120435025B 2025-10-17 方婧媛、葛成海、谢荣源
14 一种半导体器件及其制备方法、集成电路 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510908277.2 2025-07-02 CN120417463A 2025-08-01 杨杰、郭哲劭、郭廷晃
15 一种半导体器件及其制造方法 发明专利 授权、公布 CN202510782771.9 2025-06-12 CN120302743B 2025-08-19 阮钢、罗钦贤、苏圣哲
16 一种MIM电容及其制作方法和半导体器件 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510740926.2 2025-06-05 CN120264780B 2025-08-19 蔡承佑、宋伟政、丁美平、陆莹莹、马华星
17 半导体结构、半导体结构的制造方法及半导体器件 发明专利 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202510724829.4 2025-06-03 CN120233637A 2025-07-01 蒋国梁、杨军
18 一种浅沟槽隔离结构及其制备方法和半导体器件 发明专利 授权、公布 CN202510713130.8 2025-05-30 CN120237090B 2025-09-16 朱瑶
19 一种沟槽的制作方法、半导体器件及其制作方法 发明专利 授权、公布 CN202510705018.X 2025-05-29 CN120221407B 2025-08-19 陈兴
20 一种半导体器件及其制作方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510704987.3 2025-05-29 CN120224723B 2025-08-19 陈兴
21 一种图像传感器及其制作方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510704993.9 2025-05-29 CN120264891B 2025-09-16 陈维邦
22 半导体结构及其制备方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510638096.2 2025-05-19 CN120187084B 2025-08-19 李燕、宋富冉、苏烁洋、周儒领
23 半导体器件的制备方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510603588.8 2025-05-12 CN120129298B 2025-09-16 张晓玲、宋玉涛、曾群凯
24 半导体结构的制备方法、半导体结构、半导体器件 发明专利 授权 CN202510528637.6 2025-04-25 CN120076391B 2026-01-27 黄厚恒、宋富冉、周儒领
25 光刻胶去除方法、光刻胶清洗剂、半导体结构及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510451489.2 2025-04-11 CN119987165A 2025-05-13 段金燕、李政、杨昱霖
26 MOS结构及其制备方法 发明专利 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202510397435.2 2025-04-01 CN119907291A 2025-04-29 王文智、刘哲儒
27 双栅MOS结构及其制备方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510397428.2 2025-04-01 CN119907290B 2025-08-19 王文智、刘哲儒
28 掩模板的图案修正方法及其系统和介质 发明专利 授权 CN202510379065.X 2025-03-28 CN119882340B 2025-12-16 洪银、罗招龙、王康、李可玉
29 互连结构的制造方法及半导体器件 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510354467.4 2025-03-25 CN119864323B 2025-07-25 祝君龙
30 误差补偿的确定方法、半导体结构及其制造方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510329676.3 2025-03-20 CN119828425B 2025-07-08 朱玮、黄胜
31 图像传感器的制造方法及图像传感器 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510320149.6 2025-03-18 CN119855264B 2025-07-25 陈维邦
32 一种FinFET器件及其制造方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510278314.6 2025-03-10 CN119789479B 2025-07-25 陈涛、钱阳、钱坤
33 一种半导体器件及制造方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510267655.3 2025-03-07 CN119764251B 2025-07-08 刘在时、宋富冉、周儒领
34 一种存储器件及其控制方法与制造方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510231464.1 2025-02-28 CN119743956B 2025-07-08 王文智、王仲盛
35 一种半导体器件及其制备方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510236465.5 2025-02-28 CN119730245B 2025-07-11 宋富冉、周儒领、施平
36 半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510195903.8 2025-02-21 CN119698091B 2025-07-04 陈维邦
37 半导体结构的制造方法和半导体结构 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510182256.7 2025-02-19 CN119653849B 2025-07-08 黄祥、林成芝、董宗谕
38 图像传感器及其制造方法 发明专利 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202510175489.4 2025-02-18 CN119653884A 2025-03-18 陈维邦
39 一种半导体器件及其刻蚀方法和制备方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510175060.5 2025-02-18 CN119673770B 2025-07-22 方小婷、高志杰、姚怡雯、孙言明
40 半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器 发明专利 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202510156708.4 2025-02-13 CN119630084A 2025-03-14 王磊、汪文婷
41 一种MTP器件及其制备方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510148801.0 2025-02-11 CN119629999B 2025-05-16 康绍磊、丁帅、丁梦茜
42 一种图像传感器及其制造方法 发明专利 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202510138459.6 2025-02-08 CN119604056A 2025-03-11 陈维邦
43 图像传感器及其制造方法 发明专利 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202510137621.2 2025-02-07 CN119584662A 2025-03-07 陈维邦
44 半导体结构及其制造方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510137620.8 2025-02-07 CN119584631B 2025-06-24 朱名杰、张基东
45 半导体结构及其制造方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510137625.0 2025-02-07 CN119584632B 2025-06-24 张基东、朱名杰
46 半导体结构的制造方法、半导体结构和半导体集成器件 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510131851.8 2025-02-06 CN119584630B 2025-05-16 陈维邦
47 用于半导体制造工厂的产品品质监控方法及监控系统 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510130106.1 2025-02-05 CN119556665B 2025-07-04 孙姗姗、王思民、刘波、徐东东、汪田莉
48 半导体结构及其制备方法、半导体布局版图、MOS器件 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510106379.2 2025-01-23 CN119545891B 2025-04-22 宋聪强、施平
49 LDMOS器件及其制备方法 发明专利 授权、公布 CN202510064752.2 2025-01-15 CN119486205B 2025-04-01 周宁宁、汪金陵、张德培、王梦慧
50 离子注入机台的参数调整方法 发明专利 实质审查的生效、实质审查的生效、公布 CN202510024817.0 2025-01-07 CN120087408A 2025-06-03 曹齐清、范圣罗、严倩倩、曹灿、宋泽慧、李陈辰、倪斌、蔡栋煌

晶合集成成立于2015年5月19日,于2023年5月5日在上海证券交易所上市,注册地址和办公地址均涉及安徽省合肥市。该公司是国内领先的12英寸晶圆代工企业,具备先进工艺研发及应用能力,为投资市场带来独特价值。

晶合集成主要从事12英寸晶圆代工业务,专注研发并应用先进工艺,提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造,涉及汽车芯片、集成电路、半导体产业等概念板块。

2025年,晶合集成营业收入达108.85亿元,在行业7家公司中排名第4,行业第一名中芯国际为673.23亿元,第二名华虹公司为172.91亿元,行业平均数为166.12亿元,中位数为108.85亿元。其主营业务中,集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元,占比95.14%。净利润方面,2025年为4.66亿元,同样排名行业第4,行业第一名中芯国际为72.09亿元,第二名赛微电子为13.88亿元,行业平均数为9.67亿元,中位数为4.66亿元。

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下:

序号 专利名称 专利类型 法律状态 申请号 申请日期 公开(公告)号 公开(公告)日期 发明人
1 铝衬垫制备方法及半导体 发明专利 公布 CN202610460164.5 2026-04-09 CN121985860A 2026-05-05 张正、季小龙、韩壮壮、沐凡、魏榕
2 一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法 发明专利 公布 CN202610458132.1 2026-04-09 CN121985755A 2026-05-05 曹平、刘苏涛
3 半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件 发明专利 公布 CN202610449908.3 2026-04-08 CN121985808A 2026-05-05 伍德超、郝小强、梁健
4 套刻标记结构及其制造方法、套刻标记尺寸选择方法 发明专利 公布 CN202610442492.2 2026-04-07 CN121978874A 2026-05-05 刘华龙、张祥平
5 半浮栅晶体管及其制备方法、包含其的存储器件 发明专利 公布 CN202610432589.5 2026-04-03 CN121968657A 2026-05-01 李猛猛
6 LDMOS器件及其制备方法 发明专利 公布 CN202610433072.8 2026-04-03 CN121968623A 2026-05-01 刘东山、吴其洪
7 半导体结构制备方法及半导体结构 发明专利 公布 CN202610435065.1 2026-04-03 CN121985805A 2026-05-05 王文智
8 电容结构及其制造方法 发明专利 公布 CN202610436485.1 2026-04-03 CN121985540A 2026-05-05 刘向阳、蔡承佑、丁美平、陆莹莹、周迪
9 半导体测试结构及方法 发明专利 公布 CN202610425182.X 2026-04-02 CN121969117A 2026-05-01 陈文璟、邵迎亚、汪雪春
10 半导体测试结构及厚度测量方法 发明专利 公布 CN202610427694.X 2026-04-02 CN121969118A 2026-05-01 张盖、王雪、梁栋栋
11 图像传感结构、传感器及制备方法 发明专利 公布 CN202610416871.4 2026-04-01 CN121968751A 2026-05-01 陈维邦
12 一种半导体设备参数整体变差自动识别方法及系统 发明专利 公布 CN202610419236.1 2026-04-01 CN121959384A 2026-05-01 姚晨辉、李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟
13 机台差异识别方法、系统、电子设备和存储介质 发明专利 公布 CN202610419232.3 2026-04-01 CN121959064A 2026-05-01 李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟、徐孝清
14 一种半导体结构的制备方法和半导体结构 发明专利 公布 CN202610416662.X 2026-04-01 CN121968622A 2026-05-01 吴彬彬、朱瑶
15 一种半导体器件及其制备方法 发明专利 公布 CN202610419234.2 2026-04-01 CN121969040A 2026-05-01 牛昆龙、张晓亮
16 一种半导体结构及其制备方法 发明专利 公布 CN202610407639.4 2026-03-31 CN121969039A 2026-05-01 何杨、张劲
17 静电放电保护器件及其制作方法 发明专利 公布 CN202610409574.7 2026-03-31 CN121968726A 2026-05-01 王维安、程洋
18 半导体结构的制造方法和半导体结构 发明专利 公布 CN202610380978.8 2026-03-26 CN121968691A 2026-05-01 叶家顺、张浩、曹飞、董宗谕
19 金属互连层及其制备方法 发明专利 公布 CN202610371023.6 2026-03-25 CN121908875A 2026-04-21 运广涛、吴燕、苏圣哲、罗钦贤
20 一种电阻的测量结构、测量方法及集成电路 发明专利 公布 CN202610361379.1 2026-03-24 CN121899493A 2026-04-21 张培、季雨
21 MOS晶体管的电流比离群值判定装置及方法 发明专利 公布 CN202610363491.9 2026-03-24 CN121899472A 2026-04-21 牟田哲也
22 半导体结构及半导体器件的制备方法 发明专利 公布 CN202610360205.3 2026-03-24 CN121908661A 2026-04-21 李猛猛
23 掩模图案的生成方法及装置、半导体结构及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610345242.7 2026-03-20 CN121888938A 2026-04-17 桑华煜、程洋、汪华
24 半导体结构的制造方法及半导体器件 发明专利 公布 CN202610339571.0 2026-03-19 CN121908612A 2026-04-21 运广涛、赫文振、阮钢、苏圣哲
25 一种半导体器件的测试结构及测试方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610330738.7 2026-03-18 CN121865901A 2026-04-14 尚正阳、王维安、程洋
26 静态存储器的最小工作电压的调整方法 发明专利 公布 CN202610331131.0 2026-03-18 CN121905249A 2026-04-21 田志锋
27 一种半导体器件及制造方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610320005.5 2026-03-17 CN121865655A 2026-04-14 尚正阳、王维安、杨宗凯
28 一种金属场板的制造方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610324950.2 2026-03-17 CN121865673A 2026-04-14 尚正阳、王维安
29 半导体结构及其制造方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610321343.0 2026-03-17 CN121888607A 2026-04-17 康绍磊
30 一种半导体器件及其制备方法、集成电路 发明专利 公布 CN202610320000.2 2026-03-17 CN121908592A 2026-04-21 朱敏
31 一种水溶性防护膜及其制备方法和应用 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610312126.5 2026-03-16 CN121851828A 2026-04-14 葛展志、杨昱霖、刘梅真、许超、蔡马龙
32 一种防护膜及其制备方法和应用 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610312129.9 2026-03-16 CN121873627A 2026-04-17 葛展志、杨昱霖、刘梅真、许超、许雨芩
33 半导体FDC卡控分群的异常识别方法及系统 发明专利 公布 CN202610306246.4 2026-03-13 CN121834632A 2026-04-10 李惠玉、简炜宸
34 一种半导体结构的制作方法 发明专利 公布 CN202610303309.0 2026-03-13 CN121843514A 2026-04-10 卢俊玮
35 半导体器件及其制备方法 发明专利 公布 CN202610296701.7 2026-03-12 CN121843508A 2026-04-10 李猛猛、任大雅、魏巍、唐鹏飞
36 MIM电容结构及其制备方法 发明专利 公布 CN202610296709.3 2026-03-12 CN121843133A 2026-04-10 方婧媛、洪繁、谢荣源
37 用于背照式图像传感器的像素单元及其制备方法 发明专利 公布 CN202610295345.7 2026-03-11 CN121815782A 2026-04-07 张浩、董宗谕、卞亚飞
38 孔槽、沟槽隔离结构及半导体制备方法 发明专利 公布 CN202610290291.5 2026-03-11 CN121843506A 2026-04-10 唐鹏飞、魏巍、李猛猛
39 半导体结构的制造方法、半导体结构和图像传感器 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610289492.3 2026-03-11 CN121865716A 2026-04-14 张浩、董宗谕、王梦晴、卞亚飞
40 电性参数预测模型的训练方法、预测方法和相关装置 发明专利 公布 CN202610286061.1 2026-03-10 CN121808745A 2026-04-07 马姣、邱茹蒙、吴文豪、陈健、秦绪威、黄奕泉、刘哲儒、王仲盛
41 掩模标记及生成方法、光刻方法、套刻误差的测量方法 发明专利 公布 CN202610282910.6 2026-03-10 CN121832192A 2026-04-10 门莹莹、黄玉、周立早
42 晶圆键合对准补偿方法、电子设备和可读存储介质 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610275407.8 2026-03-09 CN121793825A 2026-04-03 伍德超、陈建松
43 一种浸没式光刻图形水浸入型缺陷改善方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610274800.5 2026-03-09 CN121785058A 2026-04-03 赵志豪、李海峰、沈俊明
44 半导体器件及其制造方法 发明专利 公布 CN202610276804.7 2026-03-09 CN121843157A 2026-04-10 王文智、王仲盛
45 图像传感器及其形成方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610268737.4 2026-03-06 CN121793475A 2026-04-03 王志伟、都智、马忠祥、谢荣源
46 半导体结构及双沟槽隔离结构制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610267257.6 2026-03-06 CN121793655A 2026-04-03 王文智
47 半导体器件版图设计装置以及半导体器件版图设计方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610261372.2 2026-03-05 CN121787361A 2026-04-03 大﨑秀史
48 一种半导体结构的制备方法和半导体结构 发明专利 公布 CN202610260995.8 2026-03-05 CN121843156A 2026-04-10 李文超、杨智强、林子荏、张旭、俞洁
49 一种负偏压温度不稳定测试的测试执行方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610256197.8 2026-03-04 CN121763040A 2026-03-31 董琳、王仲盛、徐畅、林淯慈、毛辰辰
50 半导体器件及其制造方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610256764.X 2026-03-04 CN121793665A 2026-04-03 刘苏涛、林士闵、聂林辉

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