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2026-05-08 09:26
5月8日消息,国家知识产权局信息显示,晶芯成(北京)科技有限公司、合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法”的专利。申请公布号为CN121985755A,申请号为CN202610458132.1,申请公布日期为2026年5月5日,申请日期为2026年4月9日,发明人曹平、刘苏涛,专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限公司,专利代理师杨威,分类号H10P70/00。
专利摘要显示,本发明涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法,包括以下步骤:a)提供表面具有金属层的晶圆;所述金属层包括镍铂合金;b)在所述金属层表面形成多孔二氧化钛层;c)采用光催化反应在常温下去除金属层;d)采用过氧化氢络合反应去除多孔二氧化钛层;e)对晶圆表面依次进行除杂、水洗和干燥,得到自对准硅化物。与现有技术相比,本发明提供的去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法,采用特定工艺步骤及条件,实现整体较好相互作用,能够在常温下去除自对准硅化物中未反应镍铂合金,避免高温湿法制程对镍硅化合物热稳定的影响,且不损失镍硅化物,从而提高自对准硅化物工艺稳定,进而提高产品良率。
天眼查数据显示,晶芯成(北京)科技有限公司成立日期2020年9月7日,法定代表人朱才伟,所属行业为科技推广和应用服务业,企业规模为微型,注册资本20万人民币,实缴资本20万人民币,注册地址为北京市北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54。晶芯成(北京)科技有限公司共对外投资了0家企业,参与招投标项目0次,财产线索方面有商标信息0条,专利信息228条,拥有行政许可1个。
晶芯成(北京)科技有限公司近期专利情况如下:
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610458132.1 | 2026-04-09 | CN121985755A | 2026-05-05 | 曹平、刘苏涛 |
| 2 | 半导体结构的制造方法及半导体器件 | 发明专利 | 公布 | CN202610339571.0 | 2026-03-19 | CN121908612A | 2026-04-21 | 运广涛、赫文振、阮钢、苏圣哲 |
| 3 | 静态存储器的最小工作电压的调整方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610331131.0 | 2026-03-18 | CN121905249A | 2026-04-21 | 田志锋 |
| 4 | 芯片失效类型的测试方法及测试电路 | 发明专利 | 授权 | CN202511673091.X | 2025-11-14 | CN121114737B | 2026-01-30 | 郝永豪、储浩、张翼、孔祥炜、钟敏 |
| 5 | 掩膜图案的处理方法、掩膜图案的处理系统和掩膜 | 发明专利 | 授权 | CN202511632778.9 | 2025-11-10 | CN121091594B | 2026-03-06 | 殷诗淇、罗招龙、王康 |
| 6 | 半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202511569345.3 | 2025-10-30 | CN121038589B | 2026-01-30 | 宋富冉、周儒领 |
| 7 | 一种防止半导体器件被电化学腐蚀的方法及半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511144106.3 | 2025-08-15 | CN120914086A | 2025-11-07 | 郝小强、陶磊、周宇芬、李霄 |
| 8 | 刻蚀腔室及倒角刻蚀方法 | 发明专利 | 授权 | CN202511082627.0 | 2025-08-04 | CN120581422B | 2025-11-21 | 李文超、刘然、林政纬、罗成、俞洁 |
| 9 | 光罩、光罩图案的生成方法、半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202511055027.5 | 2025-07-30 | CN120559940B | 2025-10-31 | 赵广、罗招龙、岳浩 |
| 10 | 半导体结构的制造方法、半导体结构及半导体器件 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202511048213.6 | 2025-07-29 | CN120565500B | 2025-10-31 | 耿佳、邓元吉、卢俊玮 |
| 11 | 半导体器件的制备方法及半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510999614.3 | 2025-07-21 | CN120857544A | 2025-10-28 | 周成 |
| 12 | 用于半导体器件的测试结构和测试方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202510934594.1 | 2025-07-08 | CN120468616B | 2025-10-17 | 李宁、冯玲、陈依柏、闻磊、段丹阳 |
| 13 | 一种LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202510931927.5 | 2025-07-07 | CN120435025B | 2025-10-17 | 方婧媛、葛成海、谢荣源 |
| 14 | 一种半导体器件及其制备方法、集成电路 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510908277.2 | 2025-07-02 | CN120417463A | 2025-08-01 | 杨杰、郭哲劭、郭廷晃 |
| 15 | 一种半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202510782771.9 | 2025-06-12 | CN120302743B | 2025-08-19 | 阮钢、罗钦贤、苏圣哲 |
| 16 | 一种MIM电容及其制作方法和半导体器件 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510740926.2 | 2025-06-05 | CN120264780B | 2025-08-19 | 蔡承佑、宋伟政、丁美平、陆莹莹、马华星 |
| 17 | 半导体结构、半导体结构的制造方法及半导体器件 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202510724829.4 | 2025-06-03 | CN120233637A | 2025-07-01 | 蒋国梁、杨军 |
| 18 | 一种浅沟槽隔离结构及其制备方法和半导体器件 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202510713130.8 | 2025-05-30 | CN120237090B | 2025-09-16 | 朱瑶 |
| 19 | 一种沟槽的制作方法、半导体器件及其制作方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202510705018.X | 2025-05-29 | CN120221407B | 2025-08-19 | 陈兴 |
| 20 | 一种半导体器件及其制作方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510704987.3 | 2025-05-29 | CN120224723B | 2025-08-19 | 陈兴 |
| 21 | 一种图像传感器及其制作方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510704993.9 | 2025-05-29 | CN120264891B | 2025-09-16 | 陈维邦 |
| 22 | 半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510638096.2 | 2025-05-19 | CN120187084B | 2025-08-19 | 李燕、宋富冉、苏烁洋、周儒领 |
| 23 | 半导体器件的制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510603588.8 | 2025-05-12 | CN120129298B | 2025-09-16 | 张晓玲、宋玉涛、曾群凯 |
| 24 | 半导体结构的制备方法、半导体结构、半导体器件 | 发明专利 | 授权 | CN202510528637.6 | 2025-04-25 | CN120076391B | 2026-01-27 | 黄厚恒、宋富冉、周儒领 |
| 25 | 光刻胶去除方法、光刻胶清洗剂、半导体结构及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510451489.2 | 2025-04-11 | CN119987165A | 2025-05-13 | 段金燕、李政、杨昱霖 |
| 26 | MOS结构及其制备方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202510397435.2 | 2025-04-01 | CN119907291A | 2025-04-29 | 王文智、刘哲儒 |
| 27 | 双栅MOS结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510397428.2 | 2025-04-01 | CN119907290B | 2025-08-19 | 王文智、刘哲儒 |
| 28 | 掩模板的图案修正方法及其系统和介质 | 发明专利 | 授权 | CN202510379065.X | 2025-03-28 | CN119882340B | 2025-12-16 | 洪银、罗招龙、王康、李可玉 |
| 29 | 互连结构的制造方法及半导体器件 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510354467.4 | 2025-03-25 | CN119864323B | 2025-07-25 | 祝君龙 |
| 30 | 误差补偿的确定方法、半导体结构及其制造方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510329676.3 | 2025-03-20 | CN119828425B | 2025-07-08 | 朱玮、黄胜 |
| 31 | 图像传感器的制造方法及图像传感器 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510320149.6 | 2025-03-18 | CN119855264B | 2025-07-25 | 陈维邦 |
| 32 | 一种FinFET器件及其制造方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510278314.6 | 2025-03-10 | CN119789479B | 2025-07-25 | 陈涛、钱阳、钱坤 |
| 33 | 一种半导体器件及制造方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510267655.3 | 2025-03-07 | CN119764251B | 2025-07-08 | 刘在时、宋富冉、周儒领 |
| 34 | 一种存储器件及其控制方法与制造方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510231464.1 | 2025-02-28 | CN119743956B | 2025-07-08 | 王文智、王仲盛 |
| 35 | 一种半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510236465.5 | 2025-02-28 | CN119730245B | 2025-07-11 | 宋富冉、周儒领、施平 |
| 36 | 半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510195903.8 | 2025-02-21 | CN119698091B | 2025-07-04 | 陈维邦 |
| 37 | 半导体结构的制造方法和半导体结构 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510182256.7 | 2025-02-19 | CN119653849B | 2025-07-08 | 黄祥、林成芝、董宗谕 |
| 38 | 图像传感器及其制造方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202510175489.4 | 2025-02-18 | CN119653884A | 2025-03-18 | 陈维邦 |
| 39 | 一种半导体器件及其刻蚀方法和制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510175060.5 | 2025-02-18 | CN119673770B | 2025-07-22 | 方小婷、高志杰、姚怡雯、孙言明 |
| 40 | 半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202510156708.4 | 2025-02-13 | CN119630084A | 2025-03-14 | 王磊、汪文婷 |
| 41 | 一种MTP器件及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510148801.0 | 2025-02-11 | CN119629999B | 2025-05-16 | 康绍磊、丁帅、丁梦茜 |
| 42 | 一种图像传感器及其制造方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202510138459.6 | 2025-02-08 | CN119604056A | 2025-03-11 | 陈维邦 |
| 43 | 图像传感器及其制造方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202510137621.2 | 2025-02-07 | CN119584662A | 2025-03-07 | 陈维邦 |
| 44 | 半导体结构及其制造方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510137620.8 | 2025-02-07 | CN119584631B | 2025-06-24 | 朱名杰、张基东 |
| 45 | 半导体结构及其制造方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510137625.0 | 2025-02-07 | CN119584632B | 2025-06-24 | 张基东、朱名杰 |
| 46 | 半导体结构的制造方法、半导体结构和半导体集成器件 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510131851.8 | 2025-02-06 | CN119584630B | 2025-05-16 | 陈维邦 |
| 47 | 用于半导体制造工厂的产品品质监控方法及监控系统 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510130106.1 | 2025-02-05 | CN119556665B | 2025-07-04 | 孙姗姗、王思民、刘波、徐东东、汪田莉 |
| 48 | 半导体结构及其制备方法、半导体布局版图、MOS器件 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510106379.2 | 2025-01-23 | CN119545891B | 2025-04-22 | 宋聪强、施平 |
| 49 | LDMOS器件及其制备方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202510064752.2 | 2025-01-15 | CN119486205B | 2025-04-01 | 周宁宁、汪金陵、张德培、王梦慧 |
| 50 | 离子注入机台的参数调整方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、实质审查的生效、公布 | CN202510024817.0 | 2025-01-07 | CN120087408A | 2025-06-03 | 曹齐清、范圣罗、严倩倩、曹灿、宋泽慧、李陈辰、倪斌、蔡栋煌 |
晶合集成成立于2015年5月19日,于2023年5月5日在上海证券交易所上市,注册地址和办公地址均涉及安徽省合肥市。该公司是国内领先的12英寸晶圆代工企业,具备先进工艺研发及应用能力,为投资市场带来独特价值。
晶合集成主要从事12英寸晶圆代工业务,专注研发并应用先进工艺,提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造,涉及汽车芯片、集成电路、半导体产业等概念板块。
2025年,晶合集成营业收入达108.85亿元,在行业7家公司中排名第4,行业第一名中芯国际为673.23亿元,第二名华虹公司为172.91亿元,行业平均数为166.12亿元,中位数为108.85亿元。其主营业务中,集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元,占比95.14%。净利润方面,2025年为4.66亿元,同样排名行业第4,行业第一名中芯国际为72.09亿元,第二名赛微电子为13.88亿元,行业平均数为9.67亿元,中位数为4.66亿元。
合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下:
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 铝衬垫制备方法及半导体 | 发明专利 | 公布 | CN202610460164.5 | 2026-04-09 | CN121985860A | 2026-05-05 | 张正、季小龙、韩壮壮、沐凡、魏榕 |
| 2 | 一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610458132.1 | 2026-04-09 | CN121985755A | 2026-05-05 | 曹平、刘苏涛 |
| 3 | 半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件 | 发明专利 | 公布 | CN202610449908.3 | 2026-04-08 | CN121985808A | 2026-05-05 | 伍德超、郝小强、梁健 |
| 4 | 套刻标记结构及其制造方法、套刻标记尺寸选择方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610442492.2 | 2026-04-07 | CN121978874A | 2026-05-05 | 刘华龙、张祥平 |
| 5 | 半浮栅晶体管及其制备方法、包含其的存储器件 | 发明专利 | 公布 | CN202610432589.5 | 2026-04-03 | CN121968657A | 2026-05-01 | 李猛猛 |
| 6 | LDMOS器件及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610433072.8 | 2026-04-03 | CN121968623A | 2026-05-01 | 刘东山、吴其洪 |
| 7 | 半导体结构制备方法及半导体结构 | 发明专利 | 公布 | CN202610435065.1 | 2026-04-03 | CN121985805A | 2026-05-05 | 王文智 |
| 8 | 电容结构及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610436485.1 | 2026-04-03 | CN121985540A | 2026-05-05 | 刘向阳、蔡承佑、丁美平、陆莹莹、周迪 |
| 9 | 半导体测试结构及方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610425182.X | 2026-04-02 | CN121969117A | 2026-05-01 | 陈文璟、邵迎亚、汪雪春 |
| 10 | 半导体测试结构及厚度测量方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610427694.X | 2026-04-02 | CN121969118A | 2026-05-01 | 张盖、王雪、梁栋栋 |
| 11 | 图像传感结构、传感器及制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610416871.4 | 2026-04-01 | CN121968751A | 2026-05-01 | 陈维邦 |
| 12 | 一种半导体设备参数整体变差自动识别方法及系统 | 发明专利 | 公布 | CN202610419236.1 | 2026-04-01 | CN121959384A | 2026-05-01 | 姚晨辉、李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟 |
| 13 | 机台差异识别方法、系统、电子设备和存储介质 | 发明专利 | 公布 | CN202610419232.3 | 2026-04-01 | CN121959064A | 2026-05-01 | 李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟、徐孝清 |
| 14 | 一种半导体结构的制备方法和半导体结构 | 发明专利 | 公布 | CN202610416662.X | 2026-04-01 | CN121968622A | 2026-05-01 | 吴彬彬、朱瑶 |
| 15 | 一种半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610419234.2 | 2026-04-01 | CN121969040A | 2026-05-01 | 牛昆龙、张晓亮 |
| 16 | 一种半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610407639.4 | 2026-03-31 | CN121969039A | 2026-05-01 | 何杨、张劲 |
| 17 | 静电放电保护器件及其制作方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610409574.7 | 2026-03-31 | CN121968726A | 2026-05-01 | 王维安、程洋 |
| 18 | 半导体结构的制造方法和半导体结构 | 发明专利 | 公布 | CN202610380978.8 | 2026-03-26 | CN121968691A | 2026-05-01 | 叶家顺、张浩、曹飞、董宗谕 |
| 19 | 金属互连层及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610371023.6 | 2026-03-25 | CN121908875A | 2026-04-21 | 运广涛、吴燕、苏圣哲、罗钦贤 |
| 20 | 一种电阻的测量结构、测量方法及集成电路 | 发明专利 | 公布 | CN202610361379.1 | 2026-03-24 | CN121899493A | 2026-04-21 | 张培、季雨 |
| 21 | MOS晶体管的电流比离群值判定装置及方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610363491.9 | 2026-03-24 | CN121899472A | 2026-04-21 | 牟田哲也 |
| 22 | 半导体结构及半导体器件的制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610360205.3 | 2026-03-24 | CN121908661A | 2026-04-21 | 李猛猛 |
| 23 | 掩模图案的生成方法及装置、半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610345242.7 | 2026-03-20 | CN121888938A | 2026-04-17 | 桑华煜、程洋、汪华 |
| 24 | 半导体结构的制造方法及半导体器件 | 发明专利 | 公布 | CN202610339571.0 | 2026-03-19 | CN121908612A | 2026-04-21 | 运广涛、赫文振、阮钢、苏圣哲 |
| 25 | 一种半导体器件的测试结构及测试方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610330738.7 | 2026-03-18 | CN121865901A | 2026-04-14 | 尚正阳、王维安、程洋 |
| 26 | 静态存储器的最小工作电压的调整方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610331131.0 | 2026-03-18 | CN121905249A | 2026-04-21 | 田志锋 |
| 27 | 一种半导体器件及制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610320005.5 | 2026-03-17 | CN121865655A | 2026-04-14 | 尚正阳、王维安、杨宗凯 |
| 28 | 一种金属场板的制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610324950.2 | 2026-03-17 | CN121865673A | 2026-04-14 | 尚正阳、王维安 |
| 29 | 半导体结构及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610321343.0 | 2026-03-17 | CN121888607A | 2026-04-17 | 康绍磊 |
| 30 | 一种半导体器件及其制备方法、集成电路 | 发明专利 | 公布 | CN202610320000.2 | 2026-03-17 | CN121908592A | 2026-04-21 | 朱敏 |
| 31 | 一种水溶性防护膜及其制备方法和应用 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610312126.5 | 2026-03-16 | CN121851828A | 2026-04-14 | 葛展志、杨昱霖、刘梅真、许超、蔡马龙 |
| 32 | 一种防护膜及其制备方法和应用 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610312129.9 | 2026-03-16 | CN121873627A | 2026-04-17 | 葛展志、杨昱霖、刘梅真、许超、许雨芩 |
| 33 | 半导体FDC卡控分群的异常识别方法及系统 | 发明专利 | 公布 | CN202610306246.4 | 2026-03-13 | CN121834632A | 2026-04-10 | 李惠玉、简炜宸 |
| 34 | 一种半导体结构的制作方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610303309.0 | 2026-03-13 | CN121843514A | 2026-04-10 | 卢俊玮 |
| 35 | 半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610296701.7 | 2026-03-12 | CN121843508A | 2026-04-10 | 李猛猛、任大雅、魏巍、唐鹏飞 |
| 36 | MIM电容结构及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610296709.3 | 2026-03-12 | CN121843133A | 2026-04-10 | 方婧媛、洪繁、谢荣源 |
| 37 | 用于背照式图像传感器的像素单元及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610295345.7 | 2026-03-11 | CN121815782A | 2026-04-07 | 张浩、董宗谕、卞亚飞 |
| 38 | 孔槽、沟槽隔离结构及半导体制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610290291.5 | 2026-03-11 | CN121843506A | 2026-04-10 | 唐鹏飞、魏巍、李猛猛 |
| 39 | 半导体结构的制造方法、半导体结构和图像传感器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610289492.3 | 2026-03-11 | CN121865716A | 2026-04-14 | 张浩、董宗谕、王梦晴、卞亚飞 |
| 40 | 电性参数预测模型的训练方法、预测方法和相关装置 | 发明专利 | 公布 | CN202610286061.1 | 2026-03-10 | CN121808745A | 2026-04-07 | 马姣、邱茹蒙、吴文豪、陈健、秦绪威、黄奕泉、刘哲儒、王仲盛 |
| 41 | 掩模标记及生成方法、光刻方法、套刻误差的测量方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610282910.6 | 2026-03-10 | CN121832192A | 2026-04-10 | 门莹莹、黄玉、周立早 |
| 42 | 晶圆键合对准补偿方法、电子设备和可读存储介质 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610275407.8 | 2026-03-09 | CN121793825A | 2026-04-03 | 伍德超、陈建松 |
| 43 | 一种浸没式光刻图形水浸入型缺陷改善方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610274800.5 | 2026-03-09 | CN121785058A | 2026-04-03 | 赵志豪、李海峰、沈俊明 |
| 44 | 半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610276804.7 | 2026-03-09 | CN121843157A | 2026-04-10 | 王文智、王仲盛 |
| 45 | 图像传感器及其形成方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610268737.4 | 2026-03-06 | CN121793475A | 2026-04-03 | 王志伟、都智、马忠祥、谢荣源 |
| 46 | 半导体结构及双沟槽隔离结构制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610267257.6 | 2026-03-06 | CN121793655A | 2026-04-03 | 王文智 |
| 47 | 半导体器件版图设计装置以及半导体器件版图设计方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610261372.2 | 2026-03-05 | CN121787361A | 2026-04-03 | 大﨑秀史 |
| 48 | 一种半导体结构的制备方法和半导体结构 | 发明专利 | 公布 | CN202610260995.8 | 2026-03-05 | CN121843156A | 2026-04-10 | 李文超、杨智强、林子荏、张旭、俞洁 |
| 49 | 一种负偏压温度不稳定测试的测试执行方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610256197.8 | 2026-03-04 | CN121763040A | 2026-03-31 | 董琳、王仲盛、徐畅、林淯慈、毛辰辰 |
| 50 | 半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610256764.X | 2026-03-04 | CN121793665A | 2026-04-03 | 刘苏涛、林士闵、聂林辉 |
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