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晶芯成科技、晶合集成申请半导体结构相关专利,多LDMOS共用衬底降成本,适配电性拉偏实验

2026-06-10 09:12

6月10日消息,国家知识产权局信息显示,晶芯成(北京)科技有限公司、合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构及制备方法”的专利。申请公布号为CN122180135A,申请号为CN202610644817.5,申请公布日期为2026年6月9日,申请日期为2026年5月12日,发明人巫振伟、汪雪春,专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限公司,专利代理师周达,分类号H10D84/83、H10D84/01。

专利摘要显示,本申请涉及半导体技术领域,提供了一种半导体结构及制备方法。半导体结构包括半导体衬底和多个LDMOS。多个LDMOS均设置于半导体衬底上,使得多个LDMOS可以共用一个半导体衬底。可以不必为每个LDMOS单独设置对应的半导体衬底,减少半导体衬底的数量,以降低本申请的半导体结构的制备成本。多个LDMOS中的有效沟道长度不同,使得多个LDMOS的电性不同,从而使得多个LDMOS的阈值电压、漏电压和电性速度不同。在对本申请的半导体结构进行电性拉偏实验时,多个沟道长度不同的LDMOS可以匹配电性拉偏实验中不同电压档位下的四个工艺角,可以减少半导体衬底的数量,降低成本。

天眼查数据显示,晶芯成(北京)科技有限公司成立日期2020年9月7日,法定代表人朱才伟,所属行业为科技推广和应用服务业,企业规模为微型,注册资本20万人民币,实缴资本20万人民币,注册地址为北京市北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54。晶芯成(北京)科技有限公司共对外投资了0家企业,参与招投标项目0次,财产线索方面有商标信息0条,专利信息229条,拥有行政许可1个。

晶芯成(北京)科技有限公司近期专利情况如下:

序号 专利名称 专利类型 法律状态 申请号 申请日期 公开(公告)号 公开(公告)日期 发明人
1 半导体结构及制备方法 发明专利 公布 CN202610644817.5 2026-05-12 CN122180135A 2026-06-09 巫振伟、汪雪春
2 一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610458132.1 2026-04-09 CN121985755A 2026-05-05 曹平、刘苏涛
3 半导体结构的制造方法及半导体器件 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610339571.0 2026-03-19 CN121908612A 2026-04-21 运广涛、赫文振、阮钢、苏圣哲
4 静态存储器的最小工作电压的调整方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610331131.0 2026-03-18 CN121905249A 2026-04-21 田志锋
5 芯片失效类型的测试方法及测试电路 发明专利 授权 CN202511673091.X 2025-11-14 CN121114737B 2026-01-30 郝永豪、储浩、张翼、孔祥炜、钟敏
6 掩膜图案的处理方法、掩膜图案的处理系统和掩膜 发明专利 授权 CN202511632778.9 2025-11-10 CN121091594B 2026-03-06 殷诗淇、罗招龙、王康
7 半导体器件及其制造方法 发明专利 授权 CN202511569345.3 2025-10-30 CN121038589B 2026-01-30 宋富冉、周儒领
8 一种防止半导体器件被电化学腐蚀的方法及半导体器件 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511144106.3 2025-08-15 CN120914086A 2025-11-07 郝小强、陶磊、周宇芬、李霄
9 刻蚀腔室及倒角刻蚀方法 发明专利 授权 CN202511082627.0 2025-08-04 CN120581422B 2025-11-21 李文超、刘然、林政纬、罗成、俞洁
10 光罩、光罩图案的生成方法、半导体结构及其制备方法 发明专利 授权、公布 CN202511055027.5 2025-07-30 CN120559940B 2025-10-31 赵广、罗招龙、岳浩
11 半导体结构的制造方法、半导体结构及半导体器件 发明专利 授权、公布 CN202511048213.6 2025-07-29 CN120565500B 2025-10-31 耿佳、邓元吉、卢俊玮
12 半导体器件的制备方法及半导体器件 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510999614.3 2025-07-21 CN120857544A 2025-10-28 周成
13 用于半导体器件的测试结构和测试方法 发明专利 授权、公布 CN202510934594.1 2025-07-08 CN120468616B 2025-10-17 李宁、冯玲、陈依柏、闻磊、段丹阳
14 一种LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件 发明专利 授权、公布 CN202510931927.5 2025-07-07 CN120435025B 2025-10-17 方婧媛、葛成海、谢荣源
15 一种半导体器件及其制备方法、集成电路 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510908277.2 2025-07-02 CN120417463A 2025-08-01 杨杰、郭哲劭、郭廷晃
16 一种半导体器件及其制造方法 发明专利 授权、公布 CN202510782771.9 2025-06-12 CN120302743B 2025-08-19 阮钢、罗钦贤、苏圣哲
17 一种MIM电容及其制作方法和半导体器件 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510740926.2 2025-06-05 CN120264780B 2025-08-19 蔡承佑、宋伟政、丁美平、陆莹莹、马华星
18 半导体结构、半导体结构的制造方法及半导体器件 发明专利 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202510724829.4 2025-06-03 CN120233637A 2025-07-01 蒋国梁、杨军
19 一种浅沟槽隔离结构及其制备方法和半导体器件 发明专利 授权、公布 CN202510713130.8 2025-05-30 CN120237090B 2025-09-16 朱瑶
20 一种沟槽的制作方法、半导体器件及其制作方法 发明专利 授权、公布 CN202510705018.X 2025-05-29 CN120221407B 2025-08-19 陈兴
21 一种半导体器件及其制作方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510704987.3 2025-05-29 CN120224723B 2025-08-19 陈兴
22 一种图像传感器及其制作方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510704993.9 2025-05-29 CN120264891B 2025-09-16 陈维邦
23 半导体结构及其制备方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510638096.2 2025-05-19 CN120187084B 2025-08-19 李燕、宋富冉、苏烁洋、周儒领
24 半导体器件的制备方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510603588.8 2025-05-12 CN120129298B 2025-09-16 张晓玲、宋玉涛、曾群凯
25 半导体结构的制备方法、半导体结构、半导体器件 发明专利 授权 CN202510528637.6 2025-04-25 CN120076391B 2026-01-27 黄厚恒、宋富冉、周儒领
26 光刻胶去除方法、光刻胶清洗剂、半导体结构及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510451489.2 2025-04-11 CN119987165A 2025-05-13 段金燕、李政、杨昱霖
27 MOS结构及其制备方法 发明专利 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202510397435.2 2025-04-01 CN119907291A 2025-04-29 王文智、刘哲儒
28 双栅MOS结构及其制备方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510397428.2 2025-04-01 CN119907290B 2025-08-19 王文智、刘哲儒
29 掩模板的图案修正方法及其系统和介质 发明专利 授权 CN202510379065.X 2025-03-28 CN119882340B 2025-12-16 洪银、罗招龙、王康、李可玉
30 互连结构的制造方法及半导体器件 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510354467.4 2025-03-25 CN119864323B 2025-07-25 祝君龙
31 误差补偿的确定方法、半导体结构及其制造方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510329676.3 2025-03-20 CN119828425B 2025-07-08 朱玮、黄胜
32 图像传感器的制造方法及图像传感器 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510320149.6 2025-03-18 CN119855264B 2025-07-25 陈维邦
33 一种FinFET器件及其制造方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510278314.6 2025-03-10 CN119789479B 2025-07-25 陈涛、钱阳、钱坤
34 一种半导体器件及制造方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510267655.3 2025-03-07 CN119764251B 2025-07-08 刘在时、宋富冉、周儒领
35 一种存储器件及其控制方法与制造方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510231464.1 2025-02-28 CN119743956B 2025-07-08 王文智、王仲盛
36 一种半导体器件及其制备方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510236465.5 2025-02-28 CN119730245B 2025-07-11 宋富冉、周儒领、施平
37 半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510195903.8 2025-02-21 CN119698091B 2025-07-04 陈维邦
38 半导体结构的制造方法和半导体结构 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510182256.7 2025-02-19 CN119653849B 2025-07-08 黄祥、林成芝、董宗谕
39 图像传感器及其制造方法 发明专利 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202510175489.4 2025-02-18 CN119653884A 2025-03-18 陈维邦
40 一种半导体器件及其刻蚀方法和制备方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510175060.5 2025-02-18 CN119673770B 2025-07-22 方小婷、高志杰、姚怡雯、孙言明
41 半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器 发明专利 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202510156708.4 2025-02-13 CN119630084A 2025-03-14 王磊、汪文婷
42 一种MTP器件及其制备方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510148801.0 2025-02-11 CN119629999B 2025-05-16 康绍磊、丁帅、丁梦茜
43 一种图像传感器及其制造方法 发明专利 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202510138459.6 2025-02-08 CN119604056A 2025-03-11 陈维邦
44 图像传感器及其制造方法 发明专利 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202510137621.2 2025-02-07 CN119584662A 2025-03-07 陈维邦
45 半导体结构及其制造方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510137620.8 2025-02-07 CN119584631B 2025-06-24 朱名杰、张基东
46 半导体结构及其制造方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510137625.0 2025-02-07 CN119584632B 2025-06-24 张基东、朱名杰
47 半导体结构的制造方法、半导体结构和半导体集成器件 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510131851.8 2025-02-06 CN119584630B 2025-05-16 陈维邦
48 用于半导体制造工厂的产品品质监控方法及监控系统 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510130106.1 2025-02-05 CN119556665B 2025-07-04 孙姗姗、王思民、刘波、徐东东、汪田莉
49 半导体结构及其制备方法、半导体布局版图、MOS器件 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510106379.2 2025-01-23 CN119545891B 2025-04-22 宋聪强、施平
50 LDMOS器件及其制备方法 发明专利 授权、公布 CN202510064752.2 2025-01-15 CN119486205B 2025-04-01 周宁宁、汪金陵、张德培、王梦慧

晶合集成成立于2015年5月19日,于2023年5月5日在上海证券交易所上市,注册地址和办公地址均涉及安徽省合肥市。它是国内领先的12英寸晶圆代工企业,具备技术优势,投资价值凸显。

晶合集成主要从事12英寸晶圆代工业务,致力于研发并应用先进工艺,为客户提供多种制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。公司所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造,涉及MCU概念、MiniLED、芯片概念等板块。

2025年,晶合集成营业收入为108.85亿元,在行业7家公司中排名第4,行业第一名中芯国际为673.23亿元,第二名华虹宏力为172.91亿元,行业平均数为166.12亿元,中位数为108.85亿元。其主营业务构成中,集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元,占比95.14%。净利润方面,2025年为4.66亿元,同样排名行业第4,行业第一名中芯国际为72.09亿元,第二名赛微电子为13.88亿元,行业平均数为9.67亿元,中位数为4.66亿元。

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下:

序号 专利名称 专利类型 法律状态 申请号 申请日期 公开(公告)号 公开(公告)日期 发明人
1 芯片布局模型的训练方法、芯片布局方法及相关装置 发明专利 公布 CN202610646614.X 2026-05-12 CN122174775A 2026-06-09 郭雅静、张潇、齐天翔、萧礼明、蒋治纬
2 半导体结构及制备方法 发明专利 公布 CN202610644817.5 2026-05-12 CN122180135A 2026-06-09 巫振伟、汪雪春
3 光阻层的形成方法及半导体结构 发明专利 公布 CN202610637283.3 2026-05-11 CN122161422A 2026-06-05 赵志豪、李海峰、沈俊明
4 半导体结构、栅极结构的制备方法及降低缺陷的方法 发明专利 公布 CN202610627967.5 2026-05-09 CN122180129A 2026-06-09 张鑫、周晓慧、马亚强、陈学刚
5 半导体结构及制备方法 发明专利 公布 CN202610602466.1 2026-05-06 CN122138409A 2026-06-02 胡文婷、许春龙、陈婉露
6 用于工艺监测的关键尺寸条形结构及关键尺寸监测方法 发明专利 公布 CN202610605065.1 2026-05-06 CN122138671A 2026-06-02 黄周远、许春龙、孟娟
7 OPC模型的校正方法、系统及计算机可读存储介质 发明专利 公布 CN202610590152.4 2026-04-30 CN122113466A 2026-05-29 王康、罗招龙
8 一种光刻套刻误差的补偿方法、系统和设备 发明专利 公布 CN202610588770.5 2026-04-30 CN122110631A 2026-05-29 何赵鑫、黄胜
9 深通孔制备方法及背照式图像传感器的制备方法 发明专利 公布 CN202610578907.9 2026-04-29 CN122121294A 2026-05-29 郇小伟、金文祥、褚冉
10 一种掩膜版图优化方法、设备、存储介质及程序产品 发明专利 公布 CN202610570245.0 2026-04-28 CN122110595A 2026-05-29 赵广、罗招龙、张国乾
11 降低F离子注入在CIS产品上产生白像素的方法及系统 发明专利 公布 CN202610551158.0 2026-04-24 CN122094205A 2026-05-26 吝辉辉、王曼真、郭瑞、姚智、李维泽
12 半导体结构及其制备方法 发明专利 公布 CN202610544911.3 2026-04-23 CN122094153A 2026-05-26 王文智、王仲盛
13 半导体器件及其制造方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610525621.4 2026-04-21 CN122069775A 2026-05-19 运广涛、邵章朋、苏圣哲、罗钦贤
14 静态存储器的最小工作电压的预测方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610525469.X 2026-04-21 CN122067580A 2026-05-19 田志锋、沈洁
15 一种SRAM集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法 发明专利 公布 CN202610526758.1 2026-04-21 CN122094097A 2026-05-26 王文智、刘哲儒、刘飞飞
16 一种SRAM集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法 发明专利 公布 CN202610526755.8 2026-04-21 CN122094096A 2026-05-26 王文智、刘哲儒、刘飞飞
17 一种半导体结构的制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610516789.9 2026-04-20 CN122069999A 2026-05-19 张璐、高倩倩、朱鹏飞、谈胜福、游奕廷
18 一种接触孔及其形成方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610516915.0 2026-04-20 CN122070006A 2026-05-19 贾涛、董宗谕、王佳佳
19 半导体结构的制作方法及半导体结构 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610508501.3 2026-04-17 CN122069766A 2026-05-19 高佑琳、高志杰、盛云、王瑞
20 半导体结构及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610502429.3 2026-04-16 CN122028719A 2026-05-12 李飞、董宗谕
21 半导体器件及其制作方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610500449.7 2026-04-16 CN122028718A 2026-05-12 李飞、董宗谕
22 一种半导体结构及其制造方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610491922.X 2026-04-15 CN122054986A 2026-05-15 陈东、王晓娟、韩领、康绍磊
23 半导体结构及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610479111.8 2026-04-13 CN122028725A 2026-05-12 宋富冉、刘乃硕
24 光学临近效应修正模型的校正方法及数据采集方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610476328.3 2026-04-13 CN122018227A 2026-05-12 王康、罗招龙
25 电性测试结构及其测试方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610476299.0 2026-04-13 CN122028713A 2026-05-12 刘站峰、汪小小、马婷、陈信全、张曼
26 伽马电阻的阻值波动的监控方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610475623.7 2026-04-13 CN122028712A 2026-05-12 李健、邵迎亚、汪雪春
27 一种半导体芯片的版图设计方法及版图设计系统 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610475734.8 2026-04-13 CN122047157A 2026-05-15 杨杰、郭哲劭、郭廷晃
28 黄光制程曝光能量确定方法、电子设备和存储介质 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610466856.0 2026-04-10 CN121995712A 2026-05-08 胡玉明
29 一种半导体结构的制备方法和半导体结构 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610466026.8 2026-04-10 CN122003143A 2026-05-08 李雯琴、王文轩
30 一种化学气相沉积设备及其温度控制方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610468112.2 2026-04-10 CN122013156A 2026-05-12 黄望望、王松、周丹玫、胡万春
31 晶体管结构及其制备方法 发明专利 公布 CN202610468691.0 2026-04-10 CN122121263A 2026-05-29 张帅博、郭廷晃
32 铝衬垫制备方法及半导体 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610460164.5 2026-04-09 CN121985860A 2026-05-05 张正、季小龙、韩壮壮、沐凡、魏榕
33 一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610458132.1 2026-04-09 CN121985755A 2026-05-05 曹平、刘苏涛
34 半导体器件的缺陷测试方法和半导体器件 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610460537.9 2026-04-09 CN122003137A 2026-05-08 董琳、王仲盛、毛辰辰、姜攀
35 半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610449908.3 2026-04-08 CN121985808A 2026-05-05 伍德超、郝小强、梁健
36 套刻标记结构及其制造方法、套刻标记尺寸选择方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610442492.2 2026-04-07 CN121978874A 2026-05-05 刘华龙、张祥平
37 半浮栅晶体管及其制备方法、包含其的存储器件 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610432589.5 2026-04-03 CN121968657A 2026-05-01 李猛猛
38 LDMOS器件及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610433072.8 2026-04-03 CN121968623A 2026-05-01 刘东山、吴其洪
39 半导体结构制备方法及半导体结构 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610435065.1 2026-04-03 CN121985805A 2026-05-05 王文智
40 电容结构及其制造方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610436485.1 2026-04-03 CN121985540A 2026-05-05 刘向阳、蔡承佑、丁美平、陆莹莹、周迪
41 半导体测试结构及方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610425182.X 2026-04-02 CN121969117A 2026-05-01 陈文璟、邵迎亚、汪雪春
42 半导体测试结构及厚度测量方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610427694.X 2026-04-02 CN121969118A 2026-05-01 张盖、王雪、梁栋栋
43 图像传感结构、传感器及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610416871.4 2026-04-01 CN121968751A 2026-05-01 陈维邦
44 一种半导体设备参数整体变差自动识别方法及系统 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610419236.1 2026-04-01 CN121959384A 2026-05-01 姚晨辉、李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟
45 一种半导体结构的制备方法和半导体结构 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610416662.X 2026-04-01 CN121968622A 2026-05-01 吴彬彬、朱瑶
46 一种半导体器件及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610419234.2 2026-04-01 CN121969040A 2026-05-01 牛昆龙、张晓亮
47 机台差异识别方法、系统、电子设备和存储介质 发明专利 授权 CN202610419232.3 2026-04-01 CN121959064B 2026-06-09 李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟、徐孝清
48 漏电测试结构及方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610405431.9 2026-03-31 CN121933982A 2026-04-28 李响、丁峰、芮倩、汪小小
49 一种半导体结构及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610407639.4 2026-03-31 CN121969039A 2026-05-01 何杨、张劲
50 静电放电保护器件及其制作方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610409574.7 2026-03-31 CN121968726A 2026-05-01 王维安、程洋

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