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2026-06-10 09:12
6月10日消息,国家知识产权局信息显示,晶芯成(北京)科技有限公司、合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构及制备方法”的专利。申请公布号为CN122180135A,申请号为CN202610644817.5,申请公布日期为2026年6月9日,申请日期为2026年5月12日,发明人巫振伟、汪雪春,专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限公司,专利代理师周达,分类号H10D84/83、H10D84/01。
专利摘要显示,本申请涉及半导体技术领域,提供了一种半导体结构及制备方法。半导体结构包括半导体衬底和多个LDMOS。多个LDMOS均设置于半导体衬底上,使得多个LDMOS可以共用一个半导体衬底。可以不必为每个LDMOS单独设置对应的半导体衬底,减少半导体衬底的数量,以降低本申请的半导体结构的制备成本。多个LDMOS中的有效沟道长度不同,使得多个LDMOS的电性不同,从而使得多个LDMOS的阈值电压、漏电压和电性速度不同。在对本申请的半导体结构进行电性拉偏实验时,多个沟道长度不同的LDMOS可以匹配电性拉偏实验中不同电压档位下的四个工艺角,可以减少半导体衬底的数量,降低成本。
天眼查数据显示,晶芯成(北京)科技有限公司成立日期2020年9月7日,法定代表人朱才伟,所属行业为科技推广和应用服务业,企业规模为微型,注册资本20万人民币,实缴资本20万人民币,注册地址为北京市北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54。晶芯成(北京)科技有限公司共对外投资了0家企业,参与招投标项目0次,财产线索方面有商标信息0条,专利信息229条,拥有行政许可1个。
晶芯成(北京)科技有限公司近期专利情况如下:
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 半导体结构及制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610644817.5 | 2026-05-12 | CN122180135A | 2026-06-09 | 巫振伟、汪雪春 |
| 2 | 一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610458132.1 | 2026-04-09 | CN121985755A | 2026-05-05 | 曹平、刘苏涛 |
| 3 | 半导体结构的制造方法及半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610339571.0 | 2026-03-19 | CN121908612A | 2026-04-21 | 运广涛、赫文振、阮钢、苏圣哲 |
| 4 | 静态存储器的最小工作电压的调整方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610331131.0 | 2026-03-18 | CN121905249A | 2026-04-21 | 田志锋 |
| 5 | 芯片失效类型的测试方法及测试电路 | 发明专利 | 授权 | CN202511673091.X | 2025-11-14 | CN121114737B | 2026-01-30 | 郝永豪、储浩、张翼、孔祥炜、钟敏 |
| 6 | 掩膜图案的处理方法、掩膜图案的处理系统和掩膜 | 发明专利 | 授权 | CN202511632778.9 | 2025-11-10 | CN121091594B | 2026-03-06 | 殷诗淇、罗招龙、王康 |
| 7 | 半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202511569345.3 | 2025-10-30 | CN121038589B | 2026-01-30 | 宋富冉、周儒领 |
| 8 | 一种防止半导体器件被电化学腐蚀的方法及半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511144106.3 | 2025-08-15 | CN120914086A | 2025-11-07 | 郝小强、陶磊、周宇芬、李霄 |
| 9 | 刻蚀腔室及倒角刻蚀方法 | 发明专利 | 授权 | CN202511082627.0 | 2025-08-04 | CN120581422B | 2025-11-21 | 李文超、刘然、林政纬、罗成、俞洁 |
| 10 | 光罩、光罩图案的生成方法、半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202511055027.5 | 2025-07-30 | CN120559940B | 2025-10-31 | 赵广、罗招龙、岳浩 |
| 11 | 半导体结构的制造方法、半导体结构及半导体器件 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202511048213.6 | 2025-07-29 | CN120565500B | 2025-10-31 | 耿佳、邓元吉、卢俊玮 |
| 12 | 半导体器件的制备方法及半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510999614.3 | 2025-07-21 | CN120857544A | 2025-10-28 | 周成 |
| 13 | 用于半导体器件的测试结构和测试方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202510934594.1 | 2025-07-08 | CN120468616B | 2025-10-17 | 李宁、冯玲、陈依柏、闻磊、段丹阳 |
| 14 | 一种LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202510931927.5 | 2025-07-07 | CN120435025B | 2025-10-17 | 方婧媛、葛成海、谢荣源 |
| 15 | 一种半导体器件及其制备方法、集成电路 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510908277.2 | 2025-07-02 | CN120417463A | 2025-08-01 | 杨杰、郭哲劭、郭廷晃 |
| 16 | 一种半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202510782771.9 | 2025-06-12 | CN120302743B | 2025-08-19 | 阮钢、罗钦贤、苏圣哲 |
| 17 | 一种MIM电容及其制作方法和半导体器件 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510740926.2 | 2025-06-05 | CN120264780B | 2025-08-19 | 蔡承佑、宋伟政、丁美平、陆莹莹、马华星 |
| 18 | 半导体结构、半导体结构的制造方法及半导体器件 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202510724829.4 | 2025-06-03 | CN120233637A | 2025-07-01 | 蒋国梁、杨军 |
| 19 | 一种浅沟槽隔离结构及其制备方法和半导体器件 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202510713130.8 | 2025-05-30 | CN120237090B | 2025-09-16 | 朱瑶 |
| 20 | 一种沟槽的制作方法、半导体器件及其制作方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202510705018.X | 2025-05-29 | CN120221407B | 2025-08-19 | 陈兴 |
| 21 | 一种半导体器件及其制作方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510704987.3 | 2025-05-29 | CN120224723B | 2025-08-19 | 陈兴 |
| 22 | 一种图像传感器及其制作方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510704993.9 | 2025-05-29 | CN120264891B | 2025-09-16 | 陈维邦 |
| 23 | 半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510638096.2 | 2025-05-19 | CN120187084B | 2025-08-19 | 李燕、宋富冉、苏烁洋、周儒领 |
| 24 | 半导体器件的制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510603588.8 | 2025-05-12 | CN120129298B | 2025-09-16 | 张晓玲、宋玉涛、曾群凯 |
| 25 | 半导体结构的制备方法、半导体结构、半导体器件 | 发明专利 | 授权 | CN202510528637.6 | 2025-04-25 | CN120076391B | 2026-01-27 | 黄厚恒、宋富冉、周儒领 |
| 26 | 光刻胶去除方法、光刻胶清洗剂、半导体结构及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510451489.2 | 2025-04-11 | CN119987165A | 2025-05-13 | 段金燕、李政、杨昱霖 |
| 27 | MOS结构及其制备方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202510397435.2 | 2025-04-01 | CN119907291A | 2025-04-29 | 王文智、刘哲儒 |
| 28 | 双栅MOS结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510397428.2 | 2025-04-01 | CN119907290B | 2025-08-19 | 王文智、刘哲儒 |
| 29 | 掩模板的图案修正方法及其系统和介质 | 发明专利 | 授权 | CN202510379065.X | 2025-03-28 | CN119882340B | 2025-12-16 | 洪银、罗招龙、王康、李可玉 |
| 30 | 互连结构的制造方法及半导体器件 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510354467.4 | 2025-03-25 | CN119864323B | 2025-07-25 | 祝君龙 |
| 31 | 误差补偿的确定方法、半导体结构及其制造方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510329676.3 | 2025-03-20 | CN119828425B | 2025-07-08 | 朱玮、黄胜 |
| 32 | 图像传感器的制造方法及图像传感器 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510320149.6 | 2025-03-18 | CN119855264B | 2025-07-25 | 陈维邦 |
| 33 | 一种FinFET器件及其制造方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510278314.6 | 2025-03-10 | CN119789479B | 2025-07-25 | 陈涛、钱阳、钱坤 |
| 34 | 一种半导体器件及制造方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510267655.3 | 2025-03-07 | CN119764251B | 2025-07-08 | 刘在时、宋富冉、周儒领 |
| 35 | 一种存储器件及其控制方法与制造方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510231464.1 | 2025-02-28 | CN119743956B | 2025-07-08 | 王文智、王仲盛 |
| 36 | 一种半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510236465.5 | 2025-02-28 | CN119730245B | 2025-07-11 | 宋富冉、周儒领、施平 |
| 37 | 半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510195903.8 | 2025-02-21 | CN119698091B | 2025-07-04 | 陈维邦 |
| 38 | 半导体结构的制造方法和半导体结构 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510182256.7 | 2025-02-19 | CN119653849B | 2025-07-08 | 黄祥、林成芝、董宗谕 |
| 39 | 图像传感器及其制造方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202510175489.4 | 2025-02-18 | CN119653884A | 2025-03-18 | 陈维邦 |
| 40 | 一种半导体器件及其刻蚀方法和制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510175060.5 | 2025-02-18 | CN119673770B | 2025-07-22 | 方小婷、高志杰、姚怡雯、孙言明 |
| 41 | 半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202510156708.4 | 2025-02-13 | CN119630084A | 2025-03-14 | 王磊、汪文婷 |
| 42 | 一种MTP器件及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510148801.0 | 2025-02-11 | CN119629999B | 2025-05-16 | 康绍磊、丁帅、丁梦茜 |
| 43 | 一种图像传感器及其制造方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202510138459.6 | 2025-02-08 | CN119604056A | 2025-03-11 | 陈维邦 |
| 44 | 图像传感器及其制造方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202510137621.2 | 2025-02-07 | CN119584662A | 2025-03-07 | 陈维邦 |
| 45 | 半导体结构及其制造方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510137620.8 | 2025-02-07 | CN119584631B | 2025-06-24 | 朱名杰、张基东 |
| 46 | 半导体结构及其制造方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510137625.0 | 2025-02-07 | CN119584632B | 2025-06-24 | 张基东、朱名杰 |
| 47 | 半导体结构的制造方法、半导体结构和半导体集成器件 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510131851.8 | 2025-02-06 | CN119584630B | 2025-05-16 | 陈维邦 |
| 48 | 用于半导体制造工厂的产品品质监控方法及监控系统 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510130106.1 | 2025-02-05 | CN119556665B | 2025-07-04 | 孙姗姗、王思民、刘波、徐东东、汪田莉 |
| 49 | 半导体结构及其制备方法、半导体布局版图、MOS器件 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510106379.2 | 2025-01-23 | CN119545891B | 2025-04-22 | 宋聪强、施平 |
| 50 | LDMOS器件及其制备方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202510064752.2 | 2025-01-15 | CN119486205B | 2025-04-01 | 周宁宁、汪金陵、张德培、王梦慧 |
晶合集成成立于2015年5月19日,于2023年5月5日在上海证券交易所上市,注册地址和办公地址均涉及安徽省合肥市。它是国内领先的12英寸晶圆代工企业,具备技术优势,投资价值凸显。
晶合集成主要从事12英寸晶圆代工业务,致力于研发并应用先进工艺,为客户提供多种制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。公司所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造,涉及MCU概念、MiniLED、芯片概念等板块。
2025年,晶合集成营业收入为108.85亿元,在行业7家公司中排名第4,行业第一名中芯国际为673.23亿元,第二名华虹宏力为172.91亿元,行业平均数为166.12亿元,中位数为108.85亿元。其主营业务构成中,集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元,占比95.14%。净利润方面,2025年为4.66亿元,同样排名行业第4,行业第一名中芯国际为72.09亿元,第二名赛微电子为13.88亿元,行业平均数为9.67亿元,中位数为4.66亿元。
合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下:
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 芯片布局模型的训练方法、芯片布局方法及相关装置 | 发明专利 | 公布 | CN202610646614.X | 2026-05-12 | CN122174775A | 2026-06-09 | 郭雅静、张潇、齐天翔、萧礼明、蒋治纬 |
| 2 | 半导体结构及制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610644817.5 | 2026-05-12 | CN122180135A | 2026-06-09 | 巫振伟、汪雪春 |
| 3 | 光阻层的形成方法及半导体结构 | 发明专利 | 公布 | CN202610637283.3 | 2026-05-11 | CN122161422A | 2026-06-05 | 赵志豪、李海峰、沈俊明 |
| 4 | 半导体结构、栅极结构的制备方法及降低缺陷的方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610627967.5 | 2026-05-09 | CN122180129A | 2026-06-09 | 张鑫、周晓慧、马亚强、陈学刚 |
| 5 | 半导体结构及制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610602466.1 | 2026-05-06 | CN122138409A | 2026-06-02 | 胡文婷、许春龙、陈婉露 |
| 6 | 用于工艺监测的关键尺寸条形结构及关键尺寸监测方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610605065.1 | 2026-05-06 | CN122138671A | 2026-06-02 | 黄周远、许春龙、孟娟 |
| 7 | OPC模型的校正方法、系统及计算机可读存储介质 | 发明专利 | 公布 | CN202610590152.4 | 2026-04-30 | CN122113466A | 2026-05-29 | 王康、罗招龙 |
| 8 | 一种光刻套刻误差的补偿方法、系统和设备 | 发明专利 | 公布 | CN202610588770.5 | 2026-04-30 | CN122110631A | 2026-05-29 | 何赵鑫、黄胜 |
| 9 | 深通孔制备方法及背照式图像传感器的制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610578907.9 | 2026-04-29 | CN122121294A | 2026-05-29 | 郇小伟、金文祥、褚冉 |
| 10 | 一种掩膜版图优化方法、设备、存储介质及程序产品 | 发明专利 | 公布 | CN202610570245.0 | 2026-04-28 | CN122110595A | 2026-05-29 | 赵广、罗招龙、张国乾 |
| 11 | 降低F离子注入在CIS产品上产生白像素的方法及系统 | 发明专利 | 公布 | CN202610551158.0 | 2026-04-24 | CN122094205A | 2026-05-26 | 吝辉辉、王曼真、郭瑞、姚智、李维泽 |
| 12 | 半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610544911.3 | 2026-04-23 | CN122094153A | 2026-05-26 | 王文智、王仲盛 |
| 13 | 半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610525621.4 | 2026-04-21 | CN122069775A | 2026-05-19 | 运广涛、邵章朋、苏圣哲、罗钦贤 |
| 14 | 静态存储器的最小工作电压的预测方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610525469.X | 2026-04-21 | CN122067580A | 2026-05-19 | 田志锋、沈洁 |
| 15 | 一种SRAM集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610526758.1 | 2026-04-21 | CN122094097A | 2026-05-26 | 王文智、刘哲儒、刘飞飞 |
| 16 | 一种SRAM集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610526755.8 | 2026-04-21 | CN122094096A | 2026-05-26 | 王文智、刘哲儒、刘飞飞 |
| 17 | 一种半导体结构的制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610516789.9 | 2026-04-20 | CN122069999A | 2026-05-19 | 张璐、高倩倩、朱鹏飞、谈胜福、游奕廷 |
| 18 | 一种接触孔及其形成方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610516915.0 | 2026-04-20 | CN122070006A | 2026-05-19 | 贾涛、董宗谕、王佳佳 |
| 19 | 半导体结构的制作方法及半导体结构 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610508501.3 | 2026-04-17 | CN122069766A | 2026-05-19 | 高佑琳、高志杰、盛云、王瑞 |
| 20 | 半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610502429.3 | 2026-04-16 | CN122028719A | 2026-05-12 | 李飞、董宗谕 |
| 21 | 半导体器件及其制作方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610500449.7 | 2026-04-16 | CN122028718A | 2026-05-12 | 李飞、董宗谕 |
| 22 | 一种半导体结构及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610491922.X | 2026-04-15 | CN122054986A | 2026-05-15 | 陈东、王晓娟、韩领、康绍磊 |
| 23 | 半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610479111.8 | 2026-04-13 | CN122028725A | 2026-05-12 | 宋富冉、刘乃硕 |
| 24 | 光学临近效应修正模型的校正方法及数据采集方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610476328.3 | 2026-04-13 | CN122018227A | 2026-05-12 | 王康、罗招龙 |
| 25 | 电性测试结构及其测试方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610476299.0 | 2026-04-13 | CN122028713A | 2026-05-12 | 刘站峰、汪小小、马婷、陈信全、张曼 |
| 26 | 伽马电阻的阻值波动的监控方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610475623.7 | 2026-04-13 | CN122028712A | 2026-05-12 | 李健、邵迎亚、汪雪春 |
| 27 | 一种半导体芯片的版图设计方法及版图设计系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610475734.8 | 2026-04-13 | CN122047157A | 2026-05-15 | 杨杰、郭哲劭、郭廷晃 |
| 28 | 黄光制程曝光能量确定方法、电子设备和存储介质 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610466856.0 | 2026-04-10 | CN121995712A | 2026-05-08 | 胡玉明 |
| 29 | 一种半导体结构的制备方法和半导体结构 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610466026.8 | 2026-04-10 | CN122003143A | 2026-05-08 | 李雯琴、王文轩 |
| 30 | 一种化学气相沉积设备及其温度控制方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610468112.2 | 2026-04-10 | CN122013156A | 2026-05-12 | 黄望望、王松、周丹玫、胡万春 |
| 31 | 晶体管结构及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610468691.0 | 2026-04-10 | CN122121263A | 2026-05-29 | 张帅博、郭廷晃 |
| 32 | 铝衬垫制备方法及半导体 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610460164.5 | 2026-04-09 | CN121985860A | 2026-05-05 | 张正、季小龙、韩壮壮、沐凡、魏榕 |
| 33 | 一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610458132.1 | 2026-04-09 | CN121985755A | 2026-05-05 | 曹平、刘苏涛 |
| 34 | 半导体器件的缺陷测试方法和半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610460537.9 | 2026-04-09 | CN122003137A | 2026-05-08 | 董琳、王仲盛、毛辰辰、姜攀 |
| 35 | 半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610449908.3 | 2026-04-08 | CN121985808A | 2026-05-05 | 伍德超、郝小强、梁健 |
| 36 | 套刻标记结构及其制造方法、套刻标记尺寸选择方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610442492.2 | 2026-04-07 | CN121978874A | 2026-05-05 | 刘华龙、张祥平 |
| 37 | 半浮栅晶体管及其制备方法、包含其的存储器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610432589.5 | 2026-04-03 | CN121968657A | 2026-05-01 | 李猛猛 |
| 38 | LDMOS器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610433072.8 | 2026-04-03 | CN121968623A | 2026-05-01 | 刘东山、吴其洪 |
| 39 | 半导体结构制备方法及半导体结构 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610435065.1 | 2026-04-03 | CN121985805A | 2026-05-05 | 王文智 |
| 40 | 电容结构及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610436485.1 | 2026-04-03 | CN121985540A | 2026-05-05 | 刘向阳、蔡承佑、丁美平、陆莹莹、周迪 |
| 41 | 半导体测试结构及方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610425182.X | 2026-04-02 | CN121969117A | 2026-05-01 | 陈文璟、邵迎亚、汪雪春 |
| 42 | 半导体测试结构及厚度测量方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610427694.X | 2026-04-02 | CN121969118A | 2026-05-01 | 张盖、王雪、梁栋栋 |
| 43 | 图像传感结构、传感器及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610416871.4 | 2026-04-01 | CN121968751A | 2026-05-01 | 陈维邦 |
| 44 | 一种半导体设备参数整体变差自动识别方法及系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610419236.1 | 2026-04-01 | CN121959384A | 2026-05-01 | 姚晨辉、李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟 |
| 45 | 一种半导体结构的制备方法和半导体结构 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610416662.X | 2026-04-01 | CN121968622A | 2026-05-01 | 吴彬彬、朱瑶 |
| 46 | 一种半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610419234.2 | 2026-04-01 | CN121969040A | 2026-05-01 | 牛昆龙、张晓亮 |
| 47 | 机台差异识别方法、系统、电子设备和存储介质 | 发明专利 | 授权 | CN202610419232.3 | 2026-04-01 | CN121959064B | 2026-06-09 | 李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟、徐孝清 |
| 48 | 漏电测试结构及方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610405431.9 | 2026-03-31 | CN121933982A | 2026-04-28 | 李响、丁峰、芮倩、汪小小 |
| 49 | 一种半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610407639.4 | 2026-03-31 | CN121969039A | 2026-05-01 | 何杨、张劲 |
| 50 | 静电放电保护器件及其制作方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610409574.7 | 2026-03-31 | CN121968726A | 2026-05-01 | 王维安、程洋 |
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