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晶芯成科技、晶合集成申请半导体测试相关专利,准静态扫描前定起始电压,缩短测试时间

2026-06-13 09:18

6月13日消息,国家知识产权局信息显示,晶芯成(北京)科技有限公司、合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件的测试方法及测试装置”的专利。申请公布号为CN122193862A,申请号为CN202610644841.9,申请公布日期为2026年6月12日,申请日期为2026年5月12日,发明人刘至宜、汪小小、陈帅、张慧玲,专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限公司,专利代理师张云鹏,分类号G01R31/26、G01R19/165、G01R1/28。

专利摘要显示,本申请公开了一种半导体器件的测试方法及测试装置,属于半导体技术领域。针对半导体器件的击穿电压在准静态扫描时耗时较长而影响产能的技术问题,本申请在准静态扫描前识别合适的起始电压。即在准静态扫描前,先向半导体器件施加幅值介于关态电流与击穿判据电流之间的探针电流,并将所测得的对应电压作为起始电压。再以准静态测试条件从该起始电压递增,以确定击穿电压。基于前述探针电流的幅值特性,其对应的起始电压能够反映半导体器件电流‑电压特性曲线中由线性导通区域向非线性击穿区域转变的临界点。从该起始电压开始准静态扫描,能够有效跳过预击穿窗口域的无效量测,从而在确保测量结果准确、规避伪击穿的同时,显著缩短整体测试时间。

天眼查数据显示,晶芯成(北京)科技有限公司成立日期2020年9月7日,法定代表人朱才伟,所属行业为科技推广和应用服务业,企业规模为微型,注册资本20万人民币,实缴资本20万人民币,注册地址为北京市北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54。晶芯成(北京)科技有限公司共对外投资了0家企业,参与招投标项目0次,财产线索方面有商标信息0条,专利信息231条,拥有行政许可1个。

晶芯成(北京)科技有限公司近期专利情况如下:

序号 专利名称 专利类型 法律状态 申请号 申请日期 公开(公告)号 公开(公告)日期 发明人
1 LDMOS器件的阈值电压的APC方法、系统、介质及产品 发明专利 公布 CN202610667846.3 2026-05-15 CN122205903A 2026-06-12 陈晓妍、王梦慧
2 半导体结构及制备方法 发明专利 公布 CN202610644817.5 2026-05-12 CN122180135A 2026-06-09 巫振伟、汪雪春
3 一种半导体器件的测试方法及测试装置 发明专利 公布 CN202610644841.9 2026-05-12 CN122193862A 2026-06-12 刘至宜、汪小小、陈帅、张慧玲
4 一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610458132.1 2026-04-09 CN121985755A 2026-05-05 曹平、刘苏涛
5 半导体结构的制造方法及半导体器件 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610339571.0 2026-03-19 CN121908612A 2026-04-21 运广涛、赫文振、阮钢、苏圣哲
6 静态存储器的最小工作电压的调整方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610331131.0 2026-03-18 CN121905249A 2026-04-21 田志锋
7 芯片失效类型的测试方法及测试电路 发明专利 授权 CN202511673091.X 2025-11-14 CN121114737B 2026-01-30 郝永豪、储浩、张翼、孔祥炜、钟敏
8 掩膜图案的处理方法、掩膜图案的处理系统和掩膜 发明专利 授权 CN202511632778.9 2025-11-10 CN121091594B 2026-03-06 殷诗淇、罗招龙、王康
9 半导体器件及其制造方法 发明专利 授权 CN202511569345.3 2025-10-30 CN121038589B 2026-01-30 宋富冉、周儒领
10 一种防止半导体器件被电化学腐蚀的方法及半导体器件 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511144106.3 2025-08-15 CN120914086A 2025-11-07 郝小强、陶磊、周宇芬、李霄
11 刻蚀腔室及倒角刻蚀方法 发明专利 授权 CN202511082627.0 2025-08-04 CN120581422B 2025-11-21 李文超、刘然、林政纬、罗成、俞洁
12 光罩、光罩图案的生成方法、半导体结构及其制备方法 发明专利 授权、公布 CN202511055027.5 2025-07-30 CN120559940B 2025-10-31 赵广、罗招龙、岳浩
13 半导体结构的制造方法、半导体结构及半导体器件 发明专利 授权、公布 CN202511048213.6 2025-07-29 CN120565500B 2025-10-31 耿佳、邓元吉、卢俊玮
14 半导体器件的制备方法及半导体器件 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510999614.3 2025-07-21 CN120857544A 2025-10-28 周成
15 用于半导体器件的测试结构和测试方法 发明专利 授权、公布 CN202510934594.1 2025-07-08 CN120468616B 2025-10-17 李宁、冯玲、陈依柏、闻磊、段丹阳
16 一种LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件 发明专利 授权、公布 CN202510931927.5 2025-07-07 CN120435025B 2025-10-17 方婧媛、葛成海、谢荣源
17 一种半导体器件及其制备方法、集成电路 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510908277.2 2025-07-02 CN120417463A 2025-08-01 杨杰、郭哲劭、郭廷晃
18 一种半导体器件及其制造方法 发明专利 授权、公布 CN202510782771.9 2025-06-12 CN120302743B 2025-08-19 阮钢、罗钦贤、苏圣哲
19 一种MIM电容及其制作方法和半导体器件 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510740926.2 2025-06-05 CN120264780B 2025-08-19 蔡承佑、宋伟政、丁美平、陆莹莹、马华星
20 半导体结构、半导体结构的制造方法及半导体器件 发明专利 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202510724829.4 2025-06-03 CN120233637A 2025-07-01 蒋国梁、杨军
21 一种浅沟槽隔离结构及其制备方法和半导体器件 发明专利 授权、公布 CN202510713130.8 2025-05-30 CN120237090B 2025-09-16 朱瑶
22 一种沟槽的制作方法、半导体器件及其制作方法 发明专利 授权、公布 CN202510705018.X 2025-05-29 CN120221407B 2025-08-19 陈兴
23 一种半导体器件及其制作方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510704987.3 2025-05-29 CN120224723B 2025-08-19 陈兴
24 一种图像传感器及其制作方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510704993.9 2025-05-29 CN120264891B 2025-09-16 陈维邦
25 半导体结构及其制备方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510638096.2 2025-05-19 CN120187084B 2025-08-19 李燕、宋富冉、苏烁洋、周儒领
26 半导体器件的制备方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510603588.8 2025-05-12 CN120129298B 2025-09-16 张晓玲、宋玉涛、曾群凯
27 半导体结构的制备方法、半导体结构、半导体器件 发明专利 授权 CN202510528637.6 2025-04-25 CN120076391B 2026-01-27 黄厚恒、宋富冉、周儒领
28 光刻胶去除方法、光刻胶清洗剂、半导体结构及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510451489.2 2025-04-11 CN119987165A 2025-05-13 段金燕、李政、杨昱霖
29 MOS结构及其制备方法 发明专利 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202510397435.2 2025-04-01 CN119907291A 2025-04-29 王文智、刘哲儒
30 双栅MOS结构及其制备方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510397428.2 2025-04-01 CN119907290B 2025-08-19 王文智、刘哲儒
31 掩模板的图案修正方法及其系统和介质 发明专利 授权 CN202510379065.X 2025-03-28 CN119882340B 2025-12-16 洪银、罗招龙、王康、李可玉
32 互连结构的制造方法及半导体器件 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510354467.4 2025-03-25 CN119864323B 2025-07-25 祝君龙
33 误差补偿的确定方法、半导体结构及其制造方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510329676.3 2025-03-20 CN119828425B 2025-07-08 朱玮、黄胜
34 图像传感器的制造方法及图像传感器 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510320149.6 2025-03-18 CN119855264B 2025-07-25 陈维邦
35 一种FinFET器件及其制造方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510278314.6 2025-03-10 CN119789479B 2025-07-25 陈涛、钱阳、钱坤
36 一种半导体器件及制造方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510267655.3 2025-03-07 CN119764251B 2025-07-08 刘在时、宋富冉、周儒领
37 一种存储器件及其控制方法与制造方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510231464.1 2025-02-28 CN119743956B 2025-07-08 王文智、王仲盛
38 一种半导体器件及其制备方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510236465.5 2025-02-28 CN119730245B 2025-07-11 宋富冉、周儒领、施平
39 半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510195903.8 2025-02-21 CN119698091B 2025-07-04 陈维邦
40 半导体结构的制造方法和半导体结构 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510182256.7 2025-02-19 CN119653849B 2025-07-08 黄祥、林成芝、董宗谕
41 图像传感器及其制造方法 发明专利 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202510175489.4 2025-02-18 CN119653884A 2025-03-18 陈维邦
42 一种半导体器件及其刻蚀方法和制备方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510175060.5 2025-02-18 CN119673770B 2025-07-22 方小婷、高志杰、姚怡雯、孙言明
43 半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器 发明专利 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202510156708.4 2025-02-13 CN119630084A 2025-03-14 王磊、汪文婷
44 一种MTP器件及其制备方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510148801.0 2025-02-11 CN119629999B 2025-05-16 康绍磊、丁帅、丁梦茜
45 一种图像传感器及其制造方法 发明专利 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202510138459.6 2025-02-08 CN119604056A 2025-03-11 陈维邦
46 图像传感器及其制造方法 发明专利 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 CN202510137621.2 2025-02-07 CN119584662A 2025-03-07 陈维邦
47 半导体结构及其制造方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510137620.8 2025-02-07 CN119584631B 2025-06-24 朱名杰、张基东
48 半导体结构及其制造方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510137625.0 2025-02-07 CN119584632B 2025-06-24 张基东、朱名杰
49 半导体结构的制造方法、半导体结构和半导体集成器件 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510131851.8 2025-02-06 CN119584630B 2025-05-16 陈维邦
50 用于半导体制造工厂的产品品质监控方法及监控系统 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510130106.1 2025-02-05 CN119556665B 2025-07-04 孙姗姗、王思民、刘波、徐东东、汪田莉

晶合集成成立于2015年5月19日,于2023年5月5日在上海证券交易所上市,注册地址和办公地址均涉及安徽省合肥市。该公司是国内知名的12英寸晶圆代工企业,具备先进工艺研发与应用能力,投资价值凸显。

晶合集成主要从事12英寸晶圆代工业务,专注研发并应用先进工艺,为客户提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。公司所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造,涉及MCU概念、MR头显、MiniLED等概念板块。

2025年,晶合集成营业收入为108.85亿元,在行业7家公司中排名第4,与第一名中芯国际的673.23亿元、第二名华虹宏力的172.91亿元有差距,行业平均数为166.12亿元,中位数为108.85亿元。其主营业务中,集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元,占比95.14%。净利润方面,2025年为4.66亿元,同样排名第4,第一名中芯国际为72.09亿元,第二名赛微电子为13.88亿元,行业平均数为9.67亿元,中位数为4.66亿元。

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下:

序号 专利名称 专利类型 法律状态 申请号 申请日期 公开(公告)号 公开(公告)日期 发明人
1 检索模型的训练方法、检索方法和电子设备 发明专利 公布 CN202610674244.0 2026-05-15 CN122198022A 2026-06-12 张潇、郭雅静、萧礼明、张贺、蒋治纬
2 LDMOS器件的阈值电压的APC方法、系统、介质及产品 发明专利 公布 CN202610667846.3 2026-05-15 CN122205903A 2026-06-12 陈晓妍、王梦慧
3 一种半导体器件及其制作方法 发明专利 公布 CN202610660032.7 2026-05-14 CN122205918A 2026-06-12 韩小虎、邓少鹏
4 半导体版图结构及双栅氧化层制备方法 发明专利 公布 CN202610663071.2 2026-05-14 CN122205953A 2026-06-12 徐锐、宋聪强
5 一种半导体器件及其制作方法 发明专利 公布 CN202610659999.3 2026-05-14 CN122205917A 2026-06-12 韩小虎、邓少鹏
6 芯片布局模型的训练方法、芯片布局方法及相关装置 发明专利 公布 CN202610646614.X 2026-05-12 CN122174775A 2026-06-09 郭雅静、张潇、齐天翔、萧礼明、蒋治纬
7 半导体结构及制备方法 发明专利 公布 CN202610644817.5 2026-05-12 CN122180135A 2026-06-09 巫振伟、汪雪春
8 一种半导体器件的测试方法及测试装置 发明专利 公布 CN202610644841.9 2026-05-12 CN122193862A 2026-06-12 刘至宜、汪小小、陈帅、张慧玲
9 光阻层的形成方法及半导体结构 发明专利 公布 CN202610637283.3 2026-05-11 CN122161422A 2026-06-05 赵志豪、李海峰、沈俊明
10 半导体结构、栅极结构的制备方法及降低缺陷的方法 发明专利 公布 CN202610627967.5 2026-05-09 CN122180129A 2026-06-09 张鑫、周晓慧、马亚强、陈学刚
11 半导体结构及制备方法 发明专利 公布 CN202610602466.1 2026-05-06 CN122138409A 2026-06-02 胡文婷、许春龙、陈婉露
12 用于工艺监测的关键尺寸条形结构及关键尺寸监测方法 发明专利 公布 CN202610605065.1 2026-05-06 CN122138671A 2026-06-02 黄周远、许春龙、孟娟
13 OPC模型的校正方法、系统及计算机可读存储介质 发明专利 公布 CN202610590152.4 2026-04-30 CN122113466A 2026-05-29 王康、罗招龙
14 一种光刻套刻误差的补偿方法、系统和设备 发明专利 公布 CN202610588770.5 2026-04-30 CN122110631A 2026-05-29 何赵鑫、黄胜
15 深通孔制备方法及背照式图像传感器的制备方法 发明专利 公布 CN202610578907.9 2026-04-29 CN122121294A 2026-05-29 郇小伟、金文祥、褚冉
16 一种掩膜版图优化方法、设备、存储介质及程序产品 发明专利 公布 CN202610570245.0 2026-04-28 CN122110595A 2026-05-29 赵广、罗招龙、张国乾
17 降低F离子注入在CIS产品上产生白像素的方法及系统 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610551158.0 2026-04-24 CN122094205A 2026-05-26 吝辉辉、王曼真、郭瑞、姚智、李维泽
18 半导体结构及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610544911.3 2026-04-23 CN122094153A 2026-05-26 王文智、王仲盛
19 半导体器件及其制造方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610525621.4 2026-04-21 CN122069775A 2026-05-19 运广涛、邵章朋、苏圣哲、罗钦贤
20 静态存储器的最小工作电压的预测方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610525469.X 2026-04-21 CN122067580A 2026-05-19 田志锋、沈洁
21 一种SRAM集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610526758.1 2026-04-21 CN122094097A 2026-05-26 王文智、刘哲儒、刘飞飞
22 一种SRAM集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610526755.8 2026-04-21 CN122094096A 2026-05-26 王文智、刘哲儒、刘飞飞
23 一种半导体结构的制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610516789.9 2026-04-20 CN122069999A 2026-05-19 张璐、高倩倩、朱鹏飞、谈胜福、游奕廷
24 一种接触孔及其形成方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610516915.0 2026-04-20 CN122070006A 2026-05-19 贾涛、董宗谕、王佳佳
25 半导体结构的制作方法及半导体结构 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610508501.3 2026-04-17 CN122069766A 2026-05-19 高佑琳、高志杰、盛云、王瑞
26 半导体结构及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610502429.3 2026-04-16 CN122028719A 2026-05-12 李飞、董宗谕
27 半导体器件及其制作方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610500449.7 2026-04-16 CN122028718A 2026-05-12 李飞、董宗谕
28 一种半导体结构及其制造方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610491922.X 2026-04-15 CN122054986A 2026-05-15 陈东、王晓娟、韩领、康绍磊
29 半导体结构及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610479111.8 2026-04-13 CN122028725A 2026-05-12 宋富冉、刘乃硕
30 光学临近效应修正模型的校正方法及数据采集方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610476328.3 2026-04-13 CN122018227A 2026-05-12 王康、罗招龙
31 电性测试结构及其测试方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610476299.0 2026-04-13 CN122028713A 2026-05-12 刘站峰、汪小小、马婷、陈信全、张曼
32 伽马电阻的阻值波动的监控方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610475623.7 2026-04-13 CN122028712A 2026-05-12 李健、邵迎亚、汪雪春
33 一种半导体芯片的版图设计方法及版图设计系统 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610475734.8 2026-04-13 CN122047157A 2026-05-15 杨杰、郭哲劭、郭廷晃
34 黄光制程曝光能量确定方法、电子设备和存储介质 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610466856.0 2026-04-10 CN121995712A 2026-05-08 胡玉明
35 一种半导体结构的制备方法和半导体结构 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610466026.8 2026-04-10 CN122003143A 2026-05-08 李雯琴、王文轩
36 一种化学气相沉积设备及其温度控制方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610468112.2 2026-04-10 CN122013156A 2026-05-12 黄望望、王松、周丹玫、胡万春
37 晶体管结构及其制备方法 发明专利 公布 CN202610468691.0 2026-04-10 CN122121263A 2026-05-29 张帅博、郭廷晃
38 铝衬垫制备方法及半导体 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610460164.5 2026-04-09 CN121985860A 2026-05-05 张正、季小龙、韩壮壮、沐凡、魏榕
39 一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610458132.1 2026-04-09 CN121985755A 2026-05-05 曹平、刘苏涛
40 半导体器件的缺陷测试方法和半导体器件 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610460537.9 2026-04-09 CN122003137A 2026-05-08 董琳、王仲盛、毛辰辰、姜攀
41 半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610449908.3 2026-04-08 CN121985808A 2026-05-05 伍德超、郝小强、梁健
42 套刻标记结构及其制造方法、套刻标记尺寸选择方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610442492.2 2026-04-07 CN121978874A 2026-05-05 刘华龙、张祥平
43 半浮栅晶体管及其制备方法、包含其的存储器件 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610432589.5 2026-04-03 CN121968657A 2026-05-01 李猛猛
44 LDMOS器件及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610433072.8 2026-04-03 CN121968623A 2026-05-01 刘东山、吴其洪
45 半导体结构制备方法及半导体结构 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610435065.1 2026-04-03 CN121985805A 2026-05-05 王文智
46 电容结构及其制造方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610436485.1 2026-04-03 CN121985540A 2026-05-05 刘向阳、蔡承佑、丁美平、陆莹莹、周迪
47 半导体测试结构及方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610425182.X 2026-04-02 CN121969117A 2026-05-01 陈文璟、邵迎亚、汪雪春
48 半导体测试结构及厚度测量方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610427694.X 2026-04-02 CN121969118A 2026-05-01 张盖、王雪、梁栋栋
49 图像传感结构、传感器及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610416871.4 2026-04-01 CN121968751A 2026-05-01 陈维邦
50 一种半导体设备参数整体变差自动识别方法及系统 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610419236.1 2026-04-01 CN121959384A 2026-05-01 姚晨辉、李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟

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