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天岳先进取得碳化硅检测相关专利,无损检测碳化硅晶棒空洞并确定位置

2026-06-23 09:14

6月23日消息,国家知识产权局信息显示,山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅晶棒内部空洞的无损检测系统及方法”的专利,授权公告号CN117074518B,授权公告日为2026年6月19日。申请公布号为CN117074518A,申请号为CN202310969171.4,申请公布日期为2026年6月19日,申请日期为2023年8月2日,发明人宋猛、王旗、徐光明、高超、窦文涛、周敏、高立志、刘欣、张红岩、舒天宇,专利代理机构北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙),专利代理师邢伟,分类号G01N27/90。

专利摘要显示,本发明公开了一种碳化硅晶棒内部空洞的无损检测系统,该无损检测系统包括涡流探头、变频交流电发生器、第一涡流探测传感器、第二涡流探测传感器、定位探头、终端和样品托。本发明通过涡流探头和第一涡流探测传感器的配合,确定检测点下方存在空洞,并初步判断空洞位置,同时通过定位探头和第二涡流探测传感器的配合,实现了空洞位置的确定。本发明在对碳化硅晶棒的空洞检测的过程中,无须采用切片显微检测的方式,不会对碳化硅晶棒产生破坏,在检测完成后碳化硅晶棒仍可继续使用,同时可以确定空洞位置,便于根据空洞位置对存在空洞的碳化硅晶棒进行后续处理。

天岳先进成立于2010年11月2日,于2022年1月12日在上海证券交易所上市,注册地址与办公地址均涉及山东省济南市。该公司是国内领先的碳化硅衬底制造商,具备领先的技术优势和产能规模,极具投资价值。

天岳先进主要从事碳化硅衬底的研发、生产和销售,所属申万行业为电子 - 半导体 - 半导体材料,属于半导体材料、科创企业同股同权、智能电网概念板块。

在2025年经营业绩方面,天岳先进营业收入为14.65亿元,行业排名9/26,低于第一名有研新材的95.42亿元和第二名雅克科技的86.11亿元,高于行业中位数11.14亿元,但低于行业平均数19.89亿元。主营业务中,碳化硅半导体材料收入12.25亿元,占比83.62%,其他(补充)收入2.4亿元,占比16.38%。净利润为 - 2.09亿元,行业排名24/26,远低于第一名雅克科技的10.3亿元和第二名江丰电子的4.14亿元,也低于行业平均数3265.85万元和行业中位数8178.71万元。

山东天岳先进科技股份有限公司近期专利情况如下:

序号 专利名称 专利类型 法律状态 申请号 申请日期 公开(公告)号 公开(公告)日期 发明人
1 一种低杂质含量的氧化镓晶体及其生长方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610410657.8 2026-03-31 CN122013320A 2026-05-12 周惠琴、朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、朱永海、尹国先、樊志鹏
2 一种低应力、高平整性的P型SiC衬底与调控装置 发明专利 公布 CN202610414730.9 2026-03-31 CN122147534A 2026-06-05 党一帆、朱灿、陈鹏磊、刘鹏飞、周惠琴、张九阳、热尼亚、朱永海、靳婉琪
3 一种氧化镓晶体同步生长装置及生长方法 发明专利 公布 CN202610402210.6 2026-03-30 CN122147528A 2026-06-05 周惠琴、朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、朱永海、尹国先、樊志鹏
4 一种高平整度碳化硅晶棒及其制备方法、制备装置 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610004935.X 2026-01-05 CN121989120A 2026-05-08 刘硕、宋猛、王凯、马立兴、热尼亚、靳婉琪
5 一种适用于硅碳负极的球形树脂小球及球形多孔碳及其制备方法 发明专利 授权 CN202511632233.8 2025-11-10 CN121076115B 2026-02-24 郭兆靖、梁庆瑞、宋福州、马健硕
6 一种高耐压球形多孔碳及其制备方法和应用 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511382485.X 2025-09-25 CN121342017A 2026-01-16 郭兆靖、宋福州、梁庆瑞
7 一种n型碳化硅晶体及其液相生长方法 发明专利 公布 CN202510946435.3 2025-07-09 CN120945487A 2025-11-14 陈鹏磊、党一帆、刘鹏飞、朱灿、刘圆圆、高超
8 一种氧化镓晶体向下生长的长晶装置及长晶方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510810956.6 2025-06-17 CN120575323A 2025-09-02 周惠琴、朱灿、党一帆、朱永海、陈鹏磊、刘鹏飞、宋生
9 一种顶部籽晶生长氧化镓单晶的装置及方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510810955.1 2025-06-17 CN120575322A 2025-09-02 周惠琴、朱灿、党一帆、朱永海、陈鹏磊、刘鹏飞、高宇晗
10 一种新型布里奇曼法氧化镓单晶生长用坩埚及生长方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510810954.7 2025-06-17 CN120591880A 2025-09-05 周惠琴、朱灿、党一帆、朱永海、陈鹏磊、刘鹏飞、赵树春
11 一种低倒角粗糙度的碳化硅衬底及双面激光倒角工艺、双面激光倒角设备 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510701883.7 2025-05-28 CN120568822A 2025-08-29 刘硕、王旗、宋猛、热尼亚、王凯、靳婉琪、李香林
12 一种低位错、高平整度的碳化硅衬底及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510335295.6 2025-03-20 CN120138807A 2025-06-13 王振行、赵建国、李昊、刘星、石志强、高宇晗、杨晓俐、高超
13 一种低缺陷密度碳化硅晶体、衬底及生长装置、生长方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510122558.5 2025-01-26 CN119824542A 2025-04-15 朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、宗艳民、赵树春、高宇晗、宋建、周敏
14 一种低基平面位错P型碳化硅晶体和衬底及生长设备、生长方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510124261.2 2025-01-26 CN119824545A 2025-04-15 朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、窦文涛、张红岩、周敏、宋建、石志强
15 小应力晶体和衬底及可控降温速度的晶体生长装置和晶体生长方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510124260.8 2025-01-26 CN119824544A 2025-04-15 朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、石志强、宋建、周敏
16 一种P型晶体及液相生长装置和液相生长方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510124259.5 2025-01-26 CN119824543A 2025-04-15 朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、宗艳民、刘家朋、周敏、宋建、石志强
17 一种长晶炉测温仪的校准检测装置 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510017290.9 2025-01-06 CN119803729A 2025-04-11 马振华、宋建、阴法波、张健、庞茂鑫、宗耀国
18 一种高效长晶炉测温仪的校准检测方法、设备及介质 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510017294.7 2025-01-06 CN119803730A 2025-04-11 马振华、宋建、阴法波、张健、庞茂鑫、宗耀国
19 一种黑磷碳负极及其合成方法和合成设备、包括其的电池 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510017292.8 2025-01-06 CN119812276A 2025-04-11 郭兆靖、王瑞、宋福州、梁庆瑞
20 一种低电阻P型碳化硅晶体、碳化硅衬底及半导体单晶的液相生长方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411758464.9 2024-12-03 CN119372783A 2025-01-28 党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、彭红宇、张红岩、朱智勇
21 一种半导体单晶的液相生长设备和液相生长方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411758461.5 2024-12-03 CN119372759A 2025-01-28 党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、陈鹏磊、周煜、刘硕
22 一种提高半导体晶体质量的液相生长装置及液相生长方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411758462.X 2024-12-03 CN119372760A 2025-01-28 党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、王立凤、李印、马立兴
23 一种低位错、低应力的P型碳化硅晶体及碳化硅衬底 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411758469.1 2024-12-03 CN119571461A 2025-03-07 党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、周煜、刘硕、王立凤、张红岩
24 一种高质量P型碳化硅晶体及碳化硅衬底 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411758466.8 2024-12-03 CN119615370A 2025-03-14 党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、张红岩、王立凤、王晓
25 一种行星式旋转切割半导体的切割设备和切割方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411665032.3 2024-11-20 CN119388604A 2025-02-07 张九阳、梁庆瑞、王瑞、李印、邵殿领、孙诗甫、薛港生
26 一种基平面弯曲小且光程差小的SiC晶体和SiC衬底 发明专利 实质审查的生效、实质审查的生效、公布 CN202411665030.4 2024-11-20 CN119507050A 2025-02-25 张九阳、高超、彭红宇、张红岩、王永方、李祥皓、李香林、李瞳、靳婉琪
27 一种光程差小的半绝缘型碳化硅晶体及碳化硅衬底 发明专利 实质审查的生效、实质审查的生效、公布 CN202411665021.5 2024-11-20 CN119507049A 2025-02-25 张九阳、高超、赵树春、李霞、张宁、刘圆圆、孟庆豪、王路平、周坤、刘浩
28 一种精准定位开装的感应炉 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411657186.8 2024-11-19 CN119353918A 2025-01-24 张九阳、徐光明、王凯、彭红宇、李帅、孙元行、宋猛
29 一种低内应力的SiC晶体和SiC衬底 发明专利 实质审查的生效、实质审查的生效、公布 CN202411657191.9 2024-11-19 CN119507047A 2025-02-25 张九阳、高超、杨晓俐、高宇晗、舒天宇、方帅、宋猛、王宗玉
30 一种石墨化碳纤维布 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411657187.2 2024-11-19 CN119528488A 2025-02-28 张九阳、宁秀秀、方帅、王宗玉、王路平、高宇晗、杨晓俐、徐光明
31 一种面内光程差小且均匀的SiC晶体及SiC衬底 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411657189.1 2024-11-19 CN119553368A 2025-03-04 张九阳、高超、张红岩、宁秀秀、舒天宇、赵树春、李霞、王路平、潘亚妮
32 一种多炉台特殊气体综合利用设备 实用新型 授权 CN202422696300.X 2024-11-05 CN223319575U 2025-09-09 李文强、张健、宋建、阴法波、周敏
33 一种测温装置 实用新型 授权 CN202422678993.X 2024-11-04 CN223691884U 2025-12-19 张健、张会安、王勃、卫照洋、宋建、周敏、赵树春、高立志、张长银、滕永懂
34 一种曲率半径大且分布均匀的4H碳化硅晶棒及制备方法和应用 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202411546268.5 2024-11-01 CN119061481B 2025-03-14 宋猛、王振行、高超、王凯、薛成业、苗泽、许长波
35 一种大尺寸、低电阻4H碳化硅晶棒、低电阻4H碳化硅晶片及制备方法 发明专利 授权、公布 CN202411546269.X 2024-11-01 CN119041030B 2025-04-18 宋猛、杨晓俐、张九阳、许长波、徐光明、王凯、高超
36 一种高温真空炉旋转主轴的电信号传递结构 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411483925.6 2024-10-23 CN119321804A 2025-01-17 张健、宋建、马振华、程望、窦文涛、周敏、赵树春、高立志
37 一种n型碳化硅单晶晶体、n型碳化硅衬底及半导体器件 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411417854.X 2024-10-11 CN119287518A 2025-01-10 高宇晗、高超、方帅、王路平、王宗玉、石志强、杨晓俐、宁秀秀
38 一种碳化硅晶体循环生产过程中废弃物料自动铲凿装置及方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411335517.6 2024-09-24 CN119077989A 2024-12-06 宋建、张健、李文强、庞茂鑫、陈一栋、赵树春、周敏、薛传艺、窦文涛、高立志
39 一种缝隙扳手 实用新型 授权 CN202422144280.5 2024-09-02 CN223466222U 2025-10-24 张会安、张健、宋建、周敏、高立志、薛传艺、张长银、赵建国、滕永懂
40 一种3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜的打标方法及其应用 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411193279.X 2024-08-28 CN118848262A 2024-10-29 宋猛、俆光明、党一帆、王凯、王旗、刘硕、李祥皓、高超
41 一种确定3C-SiC晶体晶向的方法及一种确定3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜打标方向的方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411193290.6 2024-08-28 CN119104579A 2024-12-10 宋猛、党一帆、王凯、王旗、俆光明、杨晓俐、刘硕、舒天宇、高超
42 一种降低碳化硅单晶制备成本的液相生长用坩埚及液相制备方法 发明专利 公布 CN202410997446.X 2024-07-24 CN118910714A 2024-11-08 党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈鹏磊、宋建、周敏、赵树春、赵建国
43 一种新型碳化硅晶体生长坩埚 实用新型 授权 CN202421404249.4 2024-06-19 CN222809590U 2025-04-29 赵光利、史建伟、许登基、杨振鲁、袁祥瑞
44 一种齿圈衬套内衬更换工装及更换设备 实用新型 授权 CN202421153738.7 2024-05-24 CN222289820U 2025-01-03 杨洋、刘乐乐、郑柯、宋健、周敏、赵树春、窦文涛、王雅儒、高立志、薛传艺、张长银、赵建国、滕永懂
45 一种用于长晶炉感应线圈的升降装置及其安装方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202410640686.4 2024-05-22 CN118497899A 2024-08-16 朱智勇、宁秀秀、张维刚、张长银、王振宇
46 一种用于长晶炉感应线圈的升降装置 实用新型 授权、公布 CN202421130329.5 2024-05-22 CN222274793U 2024-12-31 朱智勇、宁秀秀、张维刚、张长银、王振宇
47 一种高品质碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件 发明专利 授权、公布 CN202410586417.4 2024-05-13 CN118147740B 2024-08-13 高超、高宇晗、杨晓俐、石志强、彭红宇、潘亚妮、方帅
48 一种高品质碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411279470.6 2024-05-13 CN119121384A 2024-12-13 高超、石志强、杨晓俐、潘亚妮、高宇晗、方帅、彭红宇
49 一种金刚石衬底的表面处理方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202410579028.9 2024-05-11 CN118143760B 2024-07-05 王旗、刘硕、朱灿、马立兴、李硕、宋猛、王凯、徐光明、刘旭、隋晓明
50 一种大尺寸金刚石的拼接生长方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202410579038.2 2024-05-11 CN118147748B 2024-07-19 王旗、朱灿、宋猛、刘硕、王凯、党一帆、宋生、李霞、宁秀秀、张九阳、方帅

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