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天岳先进取得碳化硅晶体取向测试相关专利,拓宽碳化硅晶主参考面取向检测范围

2026-07-15 09:17

7月15日消息,国家知识产权局信息显示,山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“一种测试碳化硅晶体主参考面取向的方法”的专利,授权公告号CN117110337B,授权公告日为2026年7月14日。申请公布号为CN117110337A,申请号为CN202311069490.6,申请公布日期为2026年7月14日,申请日期为2023年8月23日,发明人吴殿瑞、彭红宇、刘旭、付健行、李宝盛、李祥皓、杨方慧、宋生、梁庆瑞、刘家朋,专利代理机构北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙),专利代理师邢伟,分类号G01N23/20、G01N23/207、G01N23/20008。

专利摘要显示,本申请公开了一种测试碳化硅晶体主参考面取向的方法,该方法包括:1)选取(11‑28)晶面作为参考面,计算该晶面的布拉格衍射角θ;2)调整X射线定向系统,选取一条法线,使得定向系统发射的入射线与反射线的交点聚焦在碳化硅晶体顶面的中心点上;入射线与(11‑28)晶面之间的夹角以及反射线与(11‑28)晶面之间的夹角均为θ,入射线与反射线所在的平面与碳化硅晶体的(1‑100)晶面平行,X射线定向系统显示第一信号强度值;3)然后转动测试台,当X射线定向系统显示的信号强度值相对第一信号强度值最大时,测试台转动的角度为碳化硅晶体主参考面取向的偏离值。该方法可适用不同厚度的碳化硅晶体,填补了碳化硅衬底无法进行测试的空白,扩宽了检测范围。

天岳先进是国内领先的宽禁带半导体衬底厂商,专注于碳化硅衬底研发制造,具备突出的长晶核心技术壁垒。公司成立于2010年11月2日,于2022年1月12日在上海证券交易所上市,注册地为山东省济南市,办公地跨山东省济南市与香港特别行政区。

天岳先进主营业务为碳化硅衬底的研发、生产和销售,所属申万行业为电子-半导体-半导体材料,同时覆盖高价股、TMT、百元股三大概念板块。

2025年,天岳先进实现营业收入14.65亿元,在29家同行业上市公司中排名第10,低于行业平均18.93亿元,高于行业中位数10.73亿元,同期行业营收前两位分别为有研新材95.42亿元、雅克科技86.11亿元;公司营收中碳化硅半导体材料贡献12.25亿元,占比83.62%,其他补充业务收入2.4亿元,占比16.38%。当期公司净利润为-2.09亿元,行业排名第26位,大幅低于行业平均3198.31万元与行业中位数8532.72万元,同期行业净利润前两位分别为雅克科技10.3亿元、江丰电子4.14亿元。

指标类别 具体指标 数值/详情
核心经营数据 2025年营业收入 14.65亿元
核心经营数据 2025年净利润 -2.09亿元
业务构成 碳化硅半导体材料营收占比 83.62%
行业排名 营业收入排名 10/29
行业排名 净利润排名 26/29

山东天岳先进科技股份有限公司近期专利情况如下:

序号 专利名称 专利类型 法律状态 申请号 申请日期 公开(公告)号 公开(公告)日期 发明人
1 一种低杂质含量的氧化镓晶体及其生长方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610410657.8 2026-03-31 CN122013320A 2026-05-12 周惠琴、朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、朱永海、尹国先、樊志鹏
2 一种低应力、高平整性的P型SiC衬底与调控装置 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610414730.9 2026-03-31 CN122147534A 2026-06-05 党一帆、朱灿、陈鹏磊、刘鹏飞、周惠琴、张九阳、热尼亚、朱永海、靳婉琪
3 一种氧化镓晶体同步生长装置及生长方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610402210.6 2026-03-30 CN122147528A 2026-06-05 周惠琴、朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、朱永海、尹国先、樊志鹏
4 一种高平整度碳化硅晶棒及其制备方法、制备装置 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610004935.X 2026-01-05 CN121989120A 2026-05-08 刘硕、宋猛、王凯、马立兴、热尼亚、靳婉琪
5 一种适用于硅碳负极的球形树脂小球及球形多孔碳及其制备方法 发明专利 授权 CN202511632233.8 2025-11-10 CN121076115B 2026-02-24 郭兆靖、梁庆瑞、宋福州、马健硕
6 一种高耐压球形多孔碳及其制备方法和应用 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511382485.X 2025-09-25 CN121342017A 2026-01-16 郭兆靖、宋福州、梁庆瑞
7 一种n型碳化硅晶体及其液相生长方法 发明专利 公布 CN202510946435.3 2025-07-09 CN120945487A 2025-11-14 陈鹏磊、党一帆、刘鹏飞、朱灿、刘圆圆、高超
8 一种氧化镓晶体向下生长的长晶装置及长晶方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510810956.6 2025-06-17 CN120575323A 2025-09-02 周惠琴、朱灿、党一帆、朱永海、陈鹏磊、刘鹏飞、宋生
9 一种顶部籽晶生长氧化镓单晶的装置及方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510810955.1 2025-06-17 CN120575322A 2025-09-02 周惠琴、朱灿、党一帆、朱永海、陈鹏磊、刘鹏飞、高宇晗
10 一种新型布里奇曼法氧化镓单晶生长用坩埚及生长方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510810954.7 2025-06-17 CN120591880A 2025-09-05 周惠琴、朱灿、党一帆、朱永海、陈鹏磊、刘鹏飞、赵树春
11 一种低倒角粗糙度的碳化硅衬底及双面激光倒角工艺、双面激光倒角设备 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510701883.7 2025-05-28 CN120568822A 2025-08-29 刘硕、王旗、宋猛、热尼亚、王凯、靳婉琪、李香林
12 一种低位错、高平整度的碳化硅衬底及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510335295.6 2025-03-20 CN120138807A 2025-06-13 王振行、赵建国、李昊、刘星、石志强、高宇晗、杨晓俐、高超
13 一种低缺陷密度碳化硅晶体、衬底及生长装置、生长方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510122558.5 2025-01-26 CN119824542A 2025-04-15 朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、宗艳民、赵树春、高宇晗、宋建、周敏
14 一种低基平面位错P型碳化硅晶体和衬底及生长设备、生长方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510124261.2 2025-01-26 CN119824545A 2025-04-15 朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、窦文涛、张红岩、周敏、宋建、石志强
15 小应力晶体和衬底及可控降温速度的晶体生长装置和晶体生长方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510124260.8 2025-01-26 CN119824544A 2025-04-15 朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、石志强、宋建、周敏
16 一种P型晶体及液相生长装置和液相生长方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510124259.5 2025-01-26 CN119824543A 2025-04-15 朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、宗艳民、刘家朋、周敏、宋建、石志强
17 一种长晶炉测温仪的校准检测装置 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510017290.9 2025-01-06 CN119803729A 2025-04-11 马振华、宋建、阴法波、张健、庞茂鑫、宗耀国
18 一种高效长晶炉测温仪的校准检测方法、设备及介质 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510017294.7 2025-01-06 CN119803730A 2025-04-11 马振华、宋建、阴法波、张健、庞茂鑫、宗耀国
19 一种黑磷碳负极及其合成方法和合成设备、包括其的电池 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510017292.8 2025-01-06 CN119812276A 2025-04-11 郭兆靖、王瑞、宋福州、梁庆瑞
20 一种低电阻P型碳化硅晶体、碳化硅衬底及半导体单晶的液相生长方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411758464.9 2024-12-03 CN119372783A 2025-01-28 党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、彭红宇、张红岩、朱智勇
21 一种半导体单晶的液相生长设备和液相生长方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411758461.5 2024-12-03 CN119372759A 2025-01-28 党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、陈鹏磊、周煜、刘硕
22 一种提高半导体晶体质量的液相生长装置及液相生长方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411758462.X 2024-12-03 CN119372760A 2025-01-28 党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、王立凤、李印、马立兴
23 一种低位错、低应力的P型碳化硅晶体及碳化硅衬底 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411758469.1 2024-12-03 CN119571461A 2025-03-07 党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、周煜、刘硕、王立凤、张红岩
24 一种高质量P型碳化硅晶体及碳化硅衬底 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411758466.8 2024-12-03 CN119615370A 2025-03-14 党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、张红岩、王立凤、王晓
25 一种行星式旋转切割半导体的切割设备和切割方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411665032.3 2024-11-20 CN119388604A 2025-02-07 张九阳、梁庆瑞、王瑞、李印、邵殿领、孙诗甫、薛港生
26 一种基平面弯曲小且光程差小的SiC晶体和SiC衬底 发明专利 实质审查的生效、实质审查的生效、公布 CN202411665030.4 2024-11-20 CN119507050A 2025-02-25 张九阳、高超、彭红宇、张红岩、王永方、李祥皓、李香林、李瞳、靳婉琪
27 一种光程差小的半绝缘型碳化硅晶体及碳化硅衬底 发明专利 实质审查的生效、实质审查的生效、公布 CN202411665021.5 2024-11-20 CN119507049A 2025-02-25 张九阳、高超、赵树春、李霞、张宁、刘圆圆、孟庆豪、王路平、周坤、刘浩
28 一种精准定位开装的感应炉 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411657186.8 2024-11-19 CN119353918A 2025-01-24 张九阳、徐光明、王凯、彭红宇、李帅、孙元行、宋猛
29 一种低内应力的SiC晶体和SiC衬底 发明专利 实质审查的生效、实质审查的生效、公布 CN202411657191.9 2024-11-19 CN119507047A 2025-02-25 张九阳、高超、杨晓俐、高宇晗、舒天宇、方帅、宋猛、王宗玉
30 一种石墨化碳纤维布 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411657187.2 2024-11-19 CN119528488A 2025-02-28 张九阳、宁秀秀、方帅、王宗玉、王路平、高宇晗、杨晓俐、徐光明
31 一种面内光程差小且均匀的SiC晶体及SiC衬底 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411657189.1 2024-11-19 CN119553368A 2025-03-04 张九阳、高超、张红岩、宁秀秀、舒天宇、赵树春、李霞、王路平、潘亚妮
32 一种多炉台特殊气体综合利用设备 实用新型 授权 CN202422696300.X 2024-11-05 CN223319575U 2025-09-09 李文强、张健、宋建、阴法波、周敏
33 一种测温装置 实用新型 授权 CN202422678993.X 2024-11-04 CN223691884U 2025-12-19 张健、张会安、王勃、卫照洋、宋建、周敏、赵树春、高立志、张长银、滕永懂
34 一种曲率半径大且分布均匀的4H碳化硅晶棒及制备方法和应用 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202411546268.5 2024-11-01 CN119061481B 2025-03-14 宋猛、王振行、高超、王凯、薛成业、苗泽、许长波
35 一种大尺寸、低电阻4H碳化硅晶棒、低电阻4H碳化硅晶片及制备方法 发明专利 授权、公布 CN202411546269.X 2024-11-01 CN119041030B 2025-04-18 宋猛、杨晓俐、张九阳、许长波、徐光明、王凯、高超
36 一种高温真空炉旋转主轴的电信号传递结构 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411483925.6 2024-10-23 CN119321804A 2025-01-17 张健、宋建、马振华、程望、窦文涛、周敏、赵树春、高立志
37 一种n型碳化硅单晶晶体、n型碳化硅衬底及半导体器件 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411417854.X 2024-10-11 CN119287518A 2025-01-10 高宇晗、高超、方帅、王路平、王宗玉、石志强、杨晓俐、宁秀秀
38 一种碳化硅晶体循环生产过程中废弃物料自动铲凿装置及方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411335517.6 2024-09-24 CN119077989A 2024-12-06 宋建、张健、李文强、庞茂鑫、陈一栋、赵树春、周敏、薛传艺、窦文涛、高立志
39 一种缝隙扳手 实用新型 授权 CN202422144280.5 2024-09-02 CN223466222U 2025-10-24 张会安、张健、宋建、周敏、高立志、薛传艺、张长银、赵建国、滕永懂
40 一种3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜的打标方法及其应用 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411193279.X 2024-08-28 CN118848262A 2024-10-29 宋猛、俆光明、党一帆、王凯、王旗、刘硕、李祥皓、高超
41 一种确定3C-SiC晶体晶向的方法及一种确定3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜打标方向的方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411193290.6 2024-08-28 CN119104579A 2024-12-10 宋猛、党一帆、王凯、王旗、俆光明、杨晓俐、刘硕、舒天宇、高超
42 一种降低碳化硅单晶制备成本的液相生长用坩埚及液相制备方法 发明专利 公布 CN202410997446.X 2024-07-24 CN118910714A 2024-11-08 党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈鹏磊、宋建、周敏、赵树春、赵建国
43 一种新型碳化硅晶体生长坩埚 实用新型 授权 CN202421404249.4 2024-06-19 CN222809590U 2025-04-29 赵光利、史建伟、许登基、杨振鲁、袁祥瑞
44 一种齿圈衬套内衬更换工装及更换设备 实用新型 授权 CN202421153738.7 2024-05-24 CN222289820U 2025-01-03 杨洋、刘乐乐、郑柯、宋健、周敏、赵树春、窦文涛、王雅儒、高立志、薛传艺、张长银、赵建国、滕永懂
45 一种用于长晶炉感应线圈的升降装置及其安装方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202410640686.4 2024-05-22 CN118497899A 2024-08-16 朱智勇、宁秀秀、张维刚、张长银、王振宇
46 一种用于长晶炉感应线圈的升降装置 实用新型 授权、公布 CN202421130329.5 2024-05-22 CN222274793U 2024-12-31 朱智勇、宁秀秀、张维刚、张长银、王振宇
47 一种高品质碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件 发明专利 授权、公布 CN202410586417.4 2024-05-13 CN118147740B 2024-08-13 高超、高宇晗、杨晓俐、石志强、彭红宇、潘亚妮、方帅
48 一种高品质碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411279470.6 2024-05-13 CN119121384A 2024-12-13 高超、石志强、杨晓俐、潘亚妮、高宇晗、方帅、彭红宇
49 一种金刚石衬底的表面处理方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202410579028.9 2024-05-11 CN118143760B 2024-07-05 王旗、刘硕、朱灿、马立兴、李硕、宋猛、王凯、徐光明、刘旭、隋晓明
50 一种大尺寸金刚石的拼接生长方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202410579038.2 2024-05-11 CN118147748B 2024-07-19 王旗、朱灿、宋猛、刘硕、王凯、党一帆、宋生、李霞、宁秀秀、张九阳、方帅

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