国资央企为何羡钼争钼

（来源：企观国资）

每天涨价1500元/吨，半年累计涨价30%的“小众”金属材料——钼，突然翻红。

新型显示、钙钛矿光伏、半导体等战略性新兴产业技术的快速迭代，把钼从“工业刚需”推向了高端新材料行列，为钼产业打开全新增量空间，使其成为了当下全球竞争的重要资源。

面对海外巨头在钼产业高附加值领域的垄断，中国钢研、中国中铁、金钼股份、厦门钨业、紫金矿业、盛龙股份等企业正在同步发力，加速推进高端钼材料的国产替代与自主可控。

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全球竞争钼资源

钼是一种高熔点、高强度、耐腐蚀、导电性优异的银白色难熔金属，熔点高达2622℃。在传统工业体系中，钼资源主要用于钢铁冶金行业，凭借强化材质的特性被称作“钢铁维生素”。

随着战略性新兴产业快速地发展，钼在新能源、航空航天领域的需求不断增加。在光伏领域，CIGS薄膜电池单GW装机消耗钼约80吨，2025年全球光伏装机量预计达500GW，拉动钼需求4万吨；在航天材料领域，火箭发动机喷管采用钼铼合金，耐高温性能优于镍基合金，SpaceX星舰项目年采购钼材超200吨。

近期，在半导体材料领域，一场“以钼代钨”的基础材料革命更是引发了市场高度关注。

随着3D NAND闪存堆叠层数突破300层，钨材料已触及物理极限，而钼凭借在纳米尺度下的优异导电性和工艺兼容性，正从钢铁添加剂逆袭成为半导体核心战略材料。

在“以钼代钨”的技术可行性与性能优势得到验证后，全球头部存储厂商已集体开启材料替换浪潮，新一轮半导体材料赛道竞争悄然开启。

韩国三星是行业内首个实现钼材料规模化量产的企业，2024年4月推出的286层第九代3D NAND产品，已成功将钼应用于核心金属布线环节。按照技术规划，三星2026年下半年面世的400层以上高阶产品，将进一步拓宽钼材料的应用场景。

韩国SK海力士紧随其后，完成375层第十代3D NAND技术验证并即将量产，后续还规划了480层、604层更高阶产品，持续深化钼材料应用。

美国最大的存储芯片制造商美光采取差异化双线策略，同步在NAND、DRAM两大存储领域推进钼材料研发落地，同时探索复合金属工艺路线，试图凭借差异化技术方案抢占先进制程优势。

当前，全球市场上的钼供需缺口持续扩大。2024年全球钼缺口为0.39万吨，2025年升至3.64万吨。相关机构预计，2026年全球钼总产量27.27万吨，总消费超30万吨，全年供需缺口4.43万吨，为近十年峰值。

多家机构研判，三星、SK海力士、美光三大存储巨头同步转向钼材料，标志着钼金属正式从传统工业辅料，升级为高端半导体制造的核心战略材料。叠加AI算力硬件、新能源、高端制造的多重需求共振，钼行业长期供需格局持续收紧。行业预测，2027年全球NAND赛道钼材料整体替换率有望突破55%~75%，需求量将迎来爆发式增长。

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国有企业领军同步赶超

钼资源具备稀缺性，作为全球战略性矿产，已被美、日、韩等多国列入关键矿产清单。我国在今年6月施行的《矿产资源法实施条例》，将稀土、钨、钼、镓、锗等36种关键矿产正式划入“国家级战略性矿产目录”。

资源储备层面，中国占据绝对优势。美国地质调查局 2026 年数据显示，全球钼资源探明储量约1700万吨，中国储量780万吨，占比高达45.88%，位居全球第一，美国为350万吨，智利为260万吨；我国也是全球最大的钼生产国，2025年产量占比达37.31%。

但供应链层面，国内产业呈现“资源强、高端弱”的格局，出口产品多为钼铁等低端工业原料，5N级高纯半导体钼靶材、高端钼前驱体等核心深加工产品，长期被法国液化空气、美国英特格、德国默克等海外巨头垄断。从产业链价值分布来看，高纯钼粉、半导体高端靶材等深加工环节，毛利率可达30%-60%，是产业链核心价值高地。

“本轮半导体材料‘以钼代钨’的技术变革，为国内产业提供了难得的同步赶超机遇。”国内某大型矿企人士对《企业观察报》说，不同于传统制程的代差劣势，钼材料属于全新技术赛道，国内外企业研发、量产节奏基本持平，不存在难以逾越的技术壁垒。叠加我国全球第一的钼资源储量与成熟的基础产业集群，国产替代具备天然供应链优势。

据了解，当前产业突破核心聚焦于超高纯钼提纯、高端钼前驱体制备、ALD工艺适配三大核心环节，一旦实现技术落地，国内产业将完成从资源输出、原料加工到高端核心材料供给的身份转型，掌握行业话语权。

目前，中国钢研、中国中铁、金钼股份、厦门钨业、紫金矿业、盛龙股份等央企国企正在同步发力，加速推进高端钼材料的国产替代与自主可控。

其中，央企中国钢研旗下安泰科技与中芯国际、中微电子等半导体行业龙头共建产业生态链，自主研发的高纯度钨钼靶材进入台积电、中芯国际供应链，良率提升至98%。为离子注入机配套的钨钼高能离子源部件已供货中芯国际。

陕西国企金钼股份是国内钼行业龙头，国内市场占有率约28%。2025年实际钼精矿产量2.53万吨，稳居国内第一。拥有世界六大原生钼矿之一——金堆城钼矿和河南汝阳东沟钼矿，资源保有量227万吨金属量，矿山自给率100%。金钼股份也是国内唯一实现5N级高纯钼粉量产的企业，产品通过台积电7/5/3nm制程认证，与中芯国际签订5年超10亿元长期协议。

此外，江丰电子、洛阳钼业、隆华科技等民企也在该领域加速赶超。其中，江丰电子是半导体高纯溅射靶材全球领先企业，客户覆盖台积电、三星，具备全球唯二的上游高纯金属自主可控能力。

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隐患与挑战

这场由钼主导的半导体材料迭代浪潮有望重塑全球半导体材料产业链格局。但也有不少从业者与行业专家学者提醒，钼材料的规模化量产还有一些隐忧与挑战。

“虽然钼的技术优势全面碾压传统钨材料，但从实验室技术到规模化量产落地，仍面临多重产业化壁垒，这也是业界厂商仍处于验证阶段、尚未大规模量产的核心原因。”前述矿企人士说。

整体上看，目前行业核心难点集中在材料提纯、前驱体制备、制程管控、产线适配等方面。

例如，钼的超高纯度提纯门槛更高。半导体核心制程使用的钼材料，纯度需达到6N-7N（99.9999%~99.99999%），否则微量杂质就会引发芯片漏电、性能衰减、寿命缩短等问题。现阶段，国内传统钼企高端产品的稳定性、一致性仍需持续打磨。

钼的固态前驱体输送与管控难度更大。区别于气态氟化钨，主流钼前驱体常温下为固态，无法直接适配传统气态输送产线，生产时必须借助专用设备进行高温加热，同时精准把控物料的供给量与输送速率，对产线硬件改造、制程参数精细化管控提出极高要求，初期设备投入成本较高。

钼的薄膜工艺良率管控更加严苛。钼ALD薄膜的厚度、均匀度、附着力对腔体温度、气压、气体流量等参数高度敏感，参数细微偏差就会导致批量产品质量波动，需要企业长期的工艺积累与量产打磨。

从资金层面看，相关企业的存量产线改造成本较高。原有面向钨CVD工艺的存储产线，无法直接适配钼ALD沉积工艺，企业需要新增设备、重构制程流程，前期资本投入压力较大。

需要关注的是，随着钼在半导体领域用量快速地攀升，上游矿端资源供给的瓶颈问题日益突出。钼粉价格已出现大幅上涨，半导体用靶材钼的供需缺口预期将持续存在。若需求快速放量而矿端扩产滞后，钼价的剧烈波动可能对中游靶材厂商和下游芯片制造商的成本结构带来冲击。

另外，业界提醒，从全球供需格局来看，钼资源的分布高度集中。若主要产区面临地缘政治或政策变动因素干扰，供应链安全性将面临考验。这也进一步强化了钼材料国产替代的紧迫性。

针对上述问题，目前国内钼资源全产业链正循序渐进探索破局路径，规避技术风险与改造成本压力，加速推动钼材料产业化落地。

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