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晶合集成取得光刻图形缺陷改善方法相关专利,该方法可改善光刻水浸缺陷,提升制程良率与线宽稳定性

2026-07-25 09:24

7月25日消息,国家知识产权局信息显示,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种浸没式光刻图形水浸入型缺陷改善方法”的专利,授权公告号CN121785058B,授权公告日为2026年7月21日。申请公布号为CN121785058A,申请号为CN202610274800.5,申请公布日期为2026年7月21日,申请日期为2026年3月9日,发明人赵志豪、李海峰、沈俊明,专利代理机构北京成创同维知识产权代理有限公司,专利代理师甄丹凤,分类号G03F7/20。

专利摘要显示,本申请公开了一种浸没式光刻图形水浸入型缺陷改善方法,包括:在衬底上依次形成目标光阻层和牺牲光阻层;对所述目标光阻层和所述牺牲光阻层进行浸没式曝光处理;去除所述牺牲光阻层;对剩余的目标光阻层进行显影处理。本申请实施例提供的浸没式光刻图形水浸入型缺陷改善方法,在目标光阻层的表面形成牺牲光阻层,浸入型的缺陷形成于牺牲光阻层中,避免目标光阻层中形成浸入型缺陷,提升制程良率,同时,浸没水缺陷的降低有利于提高光刻、蚀刻线宽稳定性。

晶合集成是国内领先的专注于晶圆代工的特色工艺厂商,2015年5月19日成立,2023年5月5日于上海证券交易所上市,注册地与办公地均涉及安徽省合肥市。

晶合集成主营业务为12英寸晶圆代工业务,聚焦研发应用先进工艺,为客户提供多制程节点、多工艺平台的晶圆代工服务,所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造,覆盖MCU概念、集成电路、半导体产业等概念板块。

2025年晶合集成实现营业收入108.85亿元,在所属7家同行业企业中排名第4,当期行业营收第一名中芯国际为673.23亿元、第二名华虹宏力为172.91亿元,行业营收平均数为166.12亿元,中位数为108.85亿元;营收构成中集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元,占比95.14%,其他(补充)收入4.97亿元,占比4.57%,其余其他收入3176.68万元,占比0.29%。同期公司实现净利润4.66亿元,同样在7家同行业企业中位列第4,行业净利润第一名中芯国际为72.09亿元、第二名赛微电子为13.88亿元,行业净利润平均数为9.67亿元,中位数为4.66亿元。

指标类型 当期数值 行业排名/总家数 行业头部对标值 行业平均数 行业中位数
营业收入 108.85亿元 4/7 中芯国际673.23亿元、华虹宏力172.91亿元 166.12亿元 108.85亿元
净利润 4.66亿元 4/7 中芯国际72.09亿元、赛微电子13.88亿元 9.67亿元 4.66亿元
核心业务收入占比 95.14% - - - -

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下:

序号 专利名称 专利类型 法律状态 申请号 申请日期 公开(公告)号 公开(公告)日期 发明人
1 曝光场间的对准标记及其形成方法、封测工艺 发明专利 公布 CN202610902754.9 2026-06-23 CN122431066A 2026-07-21 张传稳、陈晓妍、於飞飞
2 晶圆生产工艺流程管控方法、电子设备和存储介质 发明专利 公布 CN202610902753.4 2026-06-23 CN122453119A 2026-07-24 黄柱、檀明伟、沈统一、范夏玲
3 光掩模版设计图形的处理方法、处理装置及存储介质 发明专利 公布 CN202610894083.6 2026-06-22 CN122410885A 2026-07-17 殷诗淇、罗招龙、王康
4 半导体结构及其制备方法 发明专利 公布 CN202610893210.0 2026-06-22 CN122438361A 2026-07-21 章航、郭哲劭、郭廷晃、薛翔、宋明
5 一种半导体结构的制作方法 发明专利 公布 CN202610893494.3 2026-06-22 CN122438556A 2026-07-21 牛苗苗、高志杰
6 一种晶圆键合方法及键合晶圆 发明专利 公布 CN202610882602.7 2026-06-18 CN122421814A 2026-07-17 伍德超、郝小强、梁健、张立弟、张天阳
7 半导体器件及其制备方法、芯片 发明专利 公布 CN202610888879.0 2026-06-18 CN122421383A 2026-07-17 宋明、郭哲劭、郭廷晃
8 一种二极管的测量结构、测量方法及集成电路 发明专利 公布 CN202610873754.0 2026-06-17 CN122396281A 2026-07-14 张立涛、姚子凤、张倩、方昕、郑启涛
9 一种半导体结构及其制备方法 发明专利 公布 CN202610874647.X 2026-06-17 CN122396131A 2026-07-14 周成
10 一种光刻胶膜层涂布情况的检测方法 发明专利 公布 CN202610873529.7 2026-06-17 CN122410902A 2026-07-17 张雅丽、赵志豪、黄玉、毛文龙
11 半导体结构、半导体存储器及其制作方法 发明专利 公布 CN202610874649.9 2026-06-17 CN122421333A 2026-07-17 庄鹏程、宋富冉、刘乃硕
12 半导体结构的制备方法及半导体结构 发明专利 公布 CN202610859340.2 2026-06-15 CN122396222A 2026-07-14 张会成、高志杰
13 文本识别方法、系统及存储介质 发明专利 公布 CN202610856457.5 2026-06-15 CN122392084A 2026-07-14 杨思磊、陈云飞、李飞
14 一种晶圆关键尺寸量测方法、系统及机台 发明专利 公布 CN202610851078.7 2026-06-12 CN122421738A 2026-07-17 余钿钿
15 一种OPC建模方法、系统及计算机可读存储介质 发明专利 公布 CN202610822265.2 2026-06-09 CN122386578A 2026-07-14 王康
16 晶圆的量测方法及系统 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610813374.8 2026-06-08 CN122349353A 2026-07-07 蒋智
17 一种半导体结构的制造方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610795445.6 2026-06-04 CN122318838A 2026-06-30 马亚强、季小龙、张正、沐凡、韩壮壮
18 半导体制程异常处理方法、装置、设备、介质和程序产品 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610795944.5 2026-06-04 CN122333300A 2026-07-03 王佑祥
19 用于光阻沉积厚度的监控晶圆、监控方法和存储介质 发明专利 公布 CN202610796173.1 2026-06-04 CN122396285A 2026-07-14 陈弋轩
20 缺陷分类模型的建立方法以及缺陷分类方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610789298.1 2026-06-03 CN122336446A 2026-07-03 李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕
21 一种SRAM最小工作电压的量测方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610788371.3 2026-06-03 CN122337290A 2026-07-03 沈洁、田志锋、刘波
22 半导体结构及其制备方法、半导体器件 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610778881.2 2026-06-02 CN122340888A 2026-07-03 张盖、南子昱、王雪
23 干法刻蚀系统、干法刻蚀方法以及半导体结构的制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610757823.1 2026-05-29 CN122314744A 2026-06-30 李文超、刘然、罗成、杨智强
24 MOM电容结构的SPICE模型的建立方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610759023.3 2026-05-29 CN122311103A 2026-06-30 胡杰、张良宵、王晓辉、沈浩然
25 半导体结构及其制作方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610761688.8 2026-05-29 CN122318267A 2026-06-30 张德培、周宁宁、王梦慧
26 晶圆清洗方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610747037.3 2026-05-28 CN122270072A 2026-06-23 刘苏涛、曹平
27 半导体工厂作业场景的安全预警方法、装置和设备 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610740384.3 2026-05-27 CN122265950A 2026-06-23 毛周亮、徐旻芮、夏慧、颜传奇、黄世豪
28 栅极介质层的制备方法和半导体结构 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610741566.2 2026-05-27 CN122269774A 2026-06-23 周亚龙、朱海龙、晏荣伟、李嘉伦、罗承先
29 一种半导体结构的制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610729686.0 2026-05-26 CN122341196A 2026-07-03 李文超、杨智强、林子荏、张旭
30 半导体器件的外延层结构形成方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610719734.8 2026-05-25 CN122248783A 2026-06-19 谢斌根、董宗谕
31 安全工作区量测方法、电子设备和可读存储介质 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610705221.1 2026-05-21 CN122238814A 2026-06-19 刘家昌、陈帅、程文祥、汪小小
32 图像传感器及其制作方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610702601.X 2026-05-21 CN122248817A 2026-06-19 张鹏鹏、贾涛
33 接触孔缺陷检测方法、装置、设备、介质和程序产品 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610694586.9 2026-05-20 CN122218003A 2026-06-16 李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕
34 半导体缺陷智能分析方法及装置 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610693288.8 2026-05-20 CN122244026A 2026-06-19 杜悦珲、张利强、李璐、鄢志忠、李佛富、林今焕
35 半导体结构及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610695713.7 2026-05-20 CN122318270A 2026-06-30 魏巍、任大雅、李猛猛、唐鹏飞
36 一种半导体设备的参数化单元的选项的自动生成方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610685344.3 2026-05-19 CN122221790A 2026-06-16 前田圭司、伊藤真浩
37 集成功率器件及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610685210.1 2026-05-19 CN122248782A 2026-06-19 周宁宁、王梦慧、陈信全
38 一种半导体器件及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610677493.5 2026-05-18 CN122227654A 2026-06-16 姜恒、李毅、施平
39 检索模型的训练方法、检索方法和电子设备 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610674244.0 2026-05-15 CN122198022A 2026-06-12 张潇、郭雅静、萧礼明、张贺、蒋治纬
40 一种反应腔室的漏率监测方法、装置及半导体工艺设备 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610667786.5 2026-05-15 CN122217543A 2026-06-16 王昆、周俊、刘志强、徐阳
41 LDMOS器件的阈值电压的APC方法、系统、介质及产品 发明专利 授权 CN202610667846.3 2026-05-15 CN122205903B 2026-07-24 陈晓妍、王梦慧
42 一种半导体器件及其制作方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610660032.7 2026-05-14 CN122205918A 2026-06-12 韩小虎、邓少鹏
43 半导体版图结构及双栅氧化层制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610663071.2 2026-05-14 CN122205953A 2026-06-12 徐锐、宋聪强
44 一种半导体器件及其制作方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610659999.3 2026-05-14 CN122205917A 2026-06-12 韩小虎、邓少鹏
45 芯片布局模型的训练方法、芯片布局方法及相关装置 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610646614.X 2026-05-12 CN122174775A 2026-06-09 郭雅静、张潇、齐天翔、萧礼明、蒋治纬
46 半导体结构及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610644817.5 2026-05-12 CN122180135A 2026-06-09 巫振伟、汪雪春
47 一种半导体器件的测试方法及测试装置 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610644841.9 2026-05-12 CN122193862A 2026-06-12 刘至宜、汪小小、陈帅、张慧玲
48 光阻层的形成方法及半导体结构 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610637283.3 2026-05-11 CN122161422A 2026-06-05 赵志豪、李海峰、沈俊明
49 半导体结构、栅极结构的制备方法及降低缺陷的方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610627967.5 2026-05-09 CN122180129A 2026-06-09 张鑫、周晓慧、马亚强、陈学刚
50 半导体结构及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610602466.1 2026-05-06 CN122138409A 2026-06-02 胡文婷、许春龙、陈婉露

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