长鑫科技集团取得半导体结构相关专利，带低刻蚀速率保护层保护衬底提性能

7月27日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，授权公告号CN121888602B，授权公告日为2026年7月24日。申请公布号为CN121888602A，申请号为CN202610319848.3，申请公布日期为2026年7月24日，申请日期为2026年3月16日，发明人孙鹏超、王弘、孙政、张明、李思嘉、连磊、刘明源，专利代理机构北京律智知识产权代理有限公司，专利代理师杜佳雨，分类号H10B12/00、H10W74/10、H10W74/01、H10W74/43。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底、堆叠结构和保护结构；堆叠结构位于所述衬底的表面上，所述堆叠结构包括交替层叠的半导体层和牺牲层，所述堆叠结构包括第一沟槽，所述第一沟槽沿第一方向贯穿所述堆叠结构且延伸至所述衬底内；所述第一方向垂直于所述衬底的表面；保护结构位于所述衬底内，所述第一沟槽暴露所述保护结构的部分上表面，所述保护结构至少包括第一保护层，所述第一保护层包括P型掺杂元素，所述第一保护层的刻蚀速率小于所述衬底的刻蚀速率。该半导体结构通过保护结构对衬底进行保护，可提高衬底的性能。

长鑫科技是国内领先的DRAM全产业链布局龙头企业，专注于动态随机存取存储器研发制造，具备突出的技术壁垒与规模优势。公司成立于2016年6月13日，将于2026年7月27日登陆上海证券交易所，注册及办公地点均位于安徽省合肥市。

长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业，自2016年成立以来始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售，所属申万行业为电子-半导体-数字芯片设计，概念板块涵盖次新股、大盘、融资融券。

2025年，长鑫科技实现营业收入617.99亿元，在54家同行业企业中排名第一，大幅领先第二名豪威集团的288.55亿元，远超48.9亿元的行业平均水平与16.67亿元的行业中位数；同期实现净利润71.44亿元，同样位列行业首位，较第二名豪威集团的40.32亿元优势显著，远高于5.35亿元的行业平均数与1.68亿元的行业中位数。公司主营业务构成中，LPDDR系列营收407.04亿元，占比65.86%；DDR系列营收195.31亿元，占比31.60%；其他产品及服务营收10.41亿元，占比1.68%；其他(补充)营收5.24亿元，占比0.85%。

长鑫科技集团股份有限公司近期专利情况如下：

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