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晶合集成取得半导体器件相关专利,该工艺提升器件锗掺杂精度与电性稳定性

2026-09-25 09:09

9月25日消息,国家知识产权局信息显示,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、芯片”的专利,授权公告号CN122421383B,授权公告日为2026年9月18日。申请公布号为CN122421383A,申请号为CN202610888879.0,申请公布日期为2026年9月18日,申请日期为2026年6月18日,发明人宋明、郭哲劭、郭廷晃,专利代理机构深圳中一联合知识产权代理有限公司,专利代理师阳方玉,分类号H10D30/01、H10P30/20、H10D30/60。

专利摘要显示,本申请属于半导体技术领域,提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片,采用至少两次离子注入工艺将锗离子注入至半导体器件的沟道区,通过设置第一次离子注入工艺中锗离子的注入能量最大,避免锗仅集中在表面,防止高温扩散失控,而后续离子注入工艺中锗离子的注入能量较低,可以保证锗集中在靠近表面的区域,如此在沟道区内形成上高下低的纵向浓度梯度的锗掺杂区,根据锗掺杂区的浓度峰值位置对沟道区进行原位水汽生成氧化工艺处理形成牺牲氧化层,使锗掺杂区的浓度峰值位置与牺牲氧化层之间的距离达到目标距离,从而提升锗掺杂区的浓度峰值位置的精确度,并提升半导体器件电性参数的稳定性。

晶合集成是中国大陆领先的12英寸晶圆代工企业,专注显示驱动芯片领域代工,具备全产业链配套优势。公司成立于2015年5月19日,于2023年5月5日登陆上海证券交易所,注册地为安徽省合肥市,办公地覆盖安徽省合肥市与中国香港两地。

晶合集成隶属于申万行业分类下电子-半导体-集成电路制造赛道,核心主营业务为12英寸晶圆代工业务,聚焦研发应用行业先进工艺,可为客户提供覆盖多种制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务,当前归属中盘股、大盘、大盘价值概念板块。

2026年上半年,晶合集成实现营业收入59.57亿元,在所属6家同赛道可比企业中排名第4,同期行业营收第一名中芯国际达386.35亿元、第二名华虹宏力为95.74亿元,行业平均营收108.39亿元,行业营收中位数为60.43亿元;营收结构中集成电路业务贡献57.66亿元,占比96.80%,其他补充业务收入1.91亿元,占比3.20%。当期公司实现净利润2.22亿元,同样在6家可比企业中位列第4,同期行业净利润第一名中芯国际为64.39亿元、第二名赛微电子达26.75亿元,行业平均净利润16.56亿元,行业净利润中位数为4.44亿元。

指标类别 晶合集成当期数值 行业排名/总样本数 行业头部企业表现 行业平均水平 行业中位数
营业收入 59.57亿元 4/6 中芯国际386.35亿元、华虹宏力95.74亿元 108.39亿元 60.43亿元
净利润 2.22亿元 4/6 中芯国际64.39亿元、赛微电子26.75亿元 16.56亿元 4.44亿元
核心业务营收 集成电路57.66亿元,占比96.80% - - - -

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下:

序号 专利名称 专利类型 法律状态 申请号 申请日期 公开(公告)号 公开(公告)日期 发明人
1 一种半导体结构及其制造方法 发明专利 公布 CN202611272523.0 2026-08-21 CN122784077A 2026-09-18 康绍磊、陈东
2 图像传感器及图像传感器制备方法 发明专利 公布 CN202611274636.4 2026-08-21 CN122803420A 2026-09-22 陈维邦
3 图像传感器及其制备方法 发明专利 公布 CN202611274872.6 2026-08-21 CN122803411A 2026-09-22 陈维邦
4 图像传感器及图像传感器制备方法 发明专利 公布 CN202611273876.2 2026-08-21 CN122803419A 2026-09-22 陈维邦
5 晶圆显影的智能调控方法及装置 发明专利 公布 CN202611273346.8 2026-08-21 CN122794750A 2026-09-22 刘星、杨学人
6 图像传感器及其制备方法 发明专利 公布 CN202611273461.5 2026-08-21 CN122803418A 2026-09-22 陈维邦
7 半导体结构及其制作方法 发明专利 公布 CN202611250464.7 2026-08-18 CN122803372A 2026-09-22 宋富冉
8 半导体结构及其制作方法 发明专利 公布 CN202611250580.9 2026-08-18 CN122803373A 2026-09-22 宋富冉
9 半导体器件的制造工艺优化方法和半导体器件 发明专利 公布 CN202611249888.1 2026-08-18 CN122797243A 2026-09-22 李佛富、鄢志忠、李璐、叶凡
10 改善硅阻挡氧化层损伤的形成方法、半导体结构及器件 发明专利 公布 CN202611239556.5 2026-08-17 CN122784323A 2026-09-18 牛苗苗、邓帅、高志杰
11 金属互连结构的制备方法、半导体结构及电子设备 发明专利 公布 CN202611232783.5 2026-08-14 CN122784401A 2026-09-18 刘苏涛、运广涛
12 量测标记结构 发明专利 公布 CN202611234854.5 2026-08-14 CN122803718A 2026-09-22 曾炜炜、赵志豪、潘黎、吴建宏
13 基于多层级容量约束与距离优化的机台组件配点方法 发明专利 公布 CN202611222703.8 2026-08-13 CN122735168A 2026-09-11 谭柳娟、严倩倩、李佳蓓、王思民、徐东东、陈尚剑
14 多类型SRAM芯片版图优化方法和系统 发明专利 公布 CN202611223347.1 2026-08-13 CN122735631A 2026-09-11 杨杰、郭廷晃
15 半导体设备选位方法、装置、设备、介质及产品 发明专利 公布 CN202611222704.2 2026-08-13 CN122736055A 2026-09-11 李佳蓓、陈尚剑、严倩倩、谭柳娟、王思民、徐东东
16 半导体结构及其形成方法 发明专利 公布 CN202611219240.X 2026-08-12 CN122719148A 2026-09-08 杨少华、杨刚
17 一种光刻胶参数设置方法、光刻胶涂布方法及相关装置 发明专利 公布 CN202611216064.4 2026-08-12 CN122755338A 2026-09-15 赵志豪、沈俊明、李海峰、吴建宏
18 一种离子注入层修正方法 发明专利 公布 CN202611208374.1 2026-08-11 CN122710452A 2026-09-08 殷诗淇、罗招龙、王康、王绍天
19 蚀刻方法、氧化还原缓冲剂、芯片 发明专利 公布 CN202611211690.4 2026-08-11 CN122719370A 2026-09-08 张雷、倪波、刘仁平
20 光刻胶量测监控方法及系统 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611202184.9 2026-08-10 CN122694892A 2026-09-04 王明、庄修博、林今焕
21 优化中压器件栅氧化层厚度的方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611192301.8 2026-08-07 CN122699370A 2026-09-04 王雅洁、叶家明、郑行威、张琳琳、祝进专
22 半导体结构及其制备方法、电子设备 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611184516.5 2026-08-06 CN122699615A 2026-09-04 马梦辉、李琦琦、刘洋
23 提高微小划痕区分度的缺陷自动分类方法及系统 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611176340.9 2026-08-05 CN122675867A 2026-09-01 崔恒丽、张利强、马春雨、李佛富、林今焕
24 一种半导体结构及其制造方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611176742.9 2026-08-05 CN122679713A 2026-09-01 陈维邦
25 一种半导体结构及其制造方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611176741.4 2026-08-05 CN122699414A 2026-09-04 陈维邦
26 一种静态随机存储器芯粒的失效分析方法及分析系统 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611169657.X 2026-08-04 CN122676895A 2026-09-01 张翼、储浩、丁敬祖、马学杨、邢佳乐
27 半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611171309.6 2026-08-04 CN122699348A 2026-09-04 张盖、陈有德、王雪、南子昱
28 一种通孔底部缺陷的检测方法 发明专利 公布 CN202611171267.6 2026-08-04 CN122719425A 2026-09-08 聂方园、林今焕
29 晶体管制备方法、晶体管及电子设备 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611164387.3 2026-08-03 CN122662269A 2026-08-28 张盖、罗钦贤、吴明晏、南子昱、王雪
30 半导体测试结构及测试方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611150791.5 2026-07-31 CN122652240A 2026-08-28 马盟、鲍丙辉、李倩娣
31 一种Fin FET器件及其制造方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611147204.7 2026-07-30 CN122662243A 2026-08-28 李猛猛、唐鹏飞、魏巍
32 一种校正方法、计算机可读存储介质及光刻机 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611141368.9 2026-07-30 CN122652910A 2026-08-28 李海峰、赵志豪、张祥平、黄玉
33 基于图形轮廓顶点匹配的GDS版图对比方法及系统 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611132347.0 2026-07-29 CN122637020A 2026-08-25 刘苑、查乐、田姿璘
34 量测标记识别方法、装置、计算机设备、可读存储介质 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611122711.5 2026-07-28 CN122675852A 2026-09-01 朱海龙
35 半导体结构及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611116631.9 2026-07-27 CN122641036A 2026-08-25 张君良、江澳、田贝贝、谢智宇、王韦顺
36 一种SRAM噪声边缘分析方法及装置、系统、存储介质 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611115006.2 2026-07-27 CN122637856A 2026-08-25 田志锋
37 基于场景的根因预测模型训练方法、装置、设备、介质和程序产品 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611100269.6 2026-07-23 CN122616744A 2026-08-21 崔恒丽、张利强、俞洁、林今焕
38 半导体器件的形成方法和半导体器件 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611088837.5 2026-07-22 CN122622329A 2026-08-21 王淑娜、宋富冉、刘乃硕
39 半导体结构制备方法及半导体结构 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611091082.4 2026-07-22 CN122622285A 2026-08-21 胡一凡
40 半导体器件结构及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611090819.0 2026-07-22 CN122622310A 2026-08-21 刘洋、李琦琦、祝君龙
41 半导体结构及其制造工艺 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611081378.8 2026-07-21 CN122602483A 2026-08-18 宋富冉、周儒领
42 半导体多膜层结构的厚度测量方法、系统及设备 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611062918.8 2026-07-17 CN122590735A 2026-08-18 朱海龙、罗承先
43 埋入式栅极结构及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611065450.8 2026-07-17 CN122602562A 2026-08-18 江珂、林祐丞、杨智强
44 半导体器件及其制造方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611057378.4 2026-07-16 CN122579645A 2026-08-14 刘苏涛
45 离子注入工艺光阻层厚度的安全性验证方法及选择方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611022452.9 2026-07-10 CN122535230A 2026-08-07 夏陈红、程挚
46 对准系统校正方法、基准点标记板及其制作方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611016741.8 2026-07-09 CN122535209A 2026-08-07 毛文龙、李海峰、黄玉、吴建宏
47 光学邻近效应修正方法及装置、半导体器件制造方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611016093.6 2026-07-09 CN122525844A 2026-08-07 赵广、罗招龙
48 半导体物料的动态存储方法、装置、设备、介质 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611016172.7 2026-07-09 CN122596837A 2026-08-18 卫春生、汪杰、李翔、曹齐清、严倩倩、李佳蓓、张乐、蔡栋煌
49 半导体工厂的高处作业行为识别方法、装置和设备 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611009342.9 2026-07-08 CN122510972A 2026-08-04 毛周亮、夏慧、徐旻芮、黄俊旗、李天定
50 半导体器件的制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611000593.0 2026-07-07 CN122514031A 2026-08-04 刘苏涛

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