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永铭TQ系列聚合物钽电容:面向企业级SSD的高耐压、大容值供电与掉电保护方案

2026-09-29 15:16

企业级SSD向超薄、高密度、7×24稳定工作演进,供电与掉电保护对电容提出小型化、大容值、低ESR、低漏流、高可靠要求。永铭TQ系列(TQD/TQW)聚合物钽电容采用底面端子结构,从结构、材料、封装到产线,系统解决SSD电容选型痛点。

传统钽电容引线结构:有引脚,两次弯折,引脚长度更长;内部空间小,钽芯占比约36%;

永铭底面端子结构:无引脚,无弯折,钽芯直接连接基板;内部空间加大,钽芯占比约43%;

图1 传统钽电容结构vs永铭新型钽电容结构

图1 传统钽电容结构vs永铭新型钽电容结构

①更高容量、更薄型化、更小型化

相同条件下(35V),新型钽电容容值提升约19%。

去掉引线框占位后,产品内部空间利用率从36% 提升到 43%,更适配超薄SSD。

典型对比:

薄型化:68μF 35V,7.3×4.3×2.8 mm → 7.3×4.3×1.9 mm

小型化:22μF 25V,7.3×4.3×1.9 mm → 3.5×2.8×1.9 mm

图2 68μF35V 两种结构的聚合物产品容量对比

图2 68μF35V 两种结构的聚合物产品容量对比

②低漏电流

传统引线框架结构需二次折弯,钽芯受力,存在漏电流升高风险;永铭底面端子结构无需折弯,漏电流更稳定。

封装方面,传统封装熔融温度可达180℃,并需约10公斤压力进行塑封,内部钽芯承受压力可能导致漏电流升高。永铭采用先进封装技术,低固化温度150℃、非注塑、极低应力,漏电流表现更优。

图3 常温同规格条件下 底面端子VS传统L型的漏电流对比

图3 常温同规格条件下 底面端子VS传统L型的漏电流对比

图4 高温105℃同规格条件下 底面端子VS传统L型的漏电流对比

图4 高温105℃同规格条件下 底面端子VS传统L型的漏电流对比

①多重防湿措施:通过双85实验测试

经过双85实验测试,电容容量、漏电流保持稳定,并远离规格限值。测试过程中未出现短路失效,适合长期工作场景。

②寿命期内容量更稳定:充放电测试

永铭TQ系列聚合物钽电容已通过-5℃~+85℃温度范围内的上下电测试,累计20000 cycle,电压范围0V~UR。试验后容量变化约-5%,满足SSD上下电工作需求。

图5 TQD15 35V47μF -5℃环温 容量-充放电曲线

图5 TQD15 35V47μF -5℃环温 容量-充放电曲线

图5 TQD15 35V47μF 85℃环温 容量-充放电曲线

图5 TQD15 35V47μF 85℃环温 容量-充放电曲线

耐受两万次充放电,电容容量稳定,满足SSD上下电工作需求。

产品系列

尺寸

(mm)

额定电压

(V)

额定容量

(μF)

漏电流Max

(μA)+25℃

损耗(%)Max

+25℃,120Hz

ESR(mΩ)Max.

+25℃,100kHz

额定纹波电流

(mA.rms)105℃ 100kHz

温度/寿命

TQD15

7.3*4.3*1.5

35

47

164.5

10

100

1400

105℃/2000H

TQD19

7.3*4.3*1.9

35

68

238

10

100

1800

105℃/2000H

TQW19

7.3*6.0*1.9

35

100

350

10

100

2100

105℃/2000H

对标同行:永铭TQ系列可提供与主流品牌同类规格的Pin-to-Pin选型支持。具体替代方案需结合电路降额、纹波电流、寿命要求、PCB布局等因素评估确认。

永铭TQ系列聚合物钽电容,具有低背、高耐压、大容值、低ESR、低漏流、高可靠等显著优势,十分适用于企业级固态硬盘、AI数据中心及边缘计算等相关应用。

风险及免责提示:以上内容仅代表作者的个人立场和观点,不代表华盛的任何立场,华盛亦无法证实上述内容的真实性、准确性和原创性。投资者在做出任何投资决定前,应结合自身情况,考虑投资产品的风险。必要时,请咨询专业投资顾问的意见。华盛不提供任何投资建议,对此亦不做任何承诺和保证。